Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tvj= 25° C VCES TC = 80 °C IC,nom. 50 A TC = 25 °C IC 115 A 1200 V Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 460 W VGES +/- 20V V IF 50 A IFRM 100 A I t 2 430 A s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 2 Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 2,1 2,6 V - 2,4 2,9 V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 50A, V GE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat IC = 50A, V GE = 15V, Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 2mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V...+15V QG - 0,53 - µC Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies - 3,3 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cres - 0,21 - nF Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25°C ICES - - 5 mA Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA prepared by: MOD-D2, Mark Münzer date of publication: 2003-01-10 approved by: SM TM; Wilhelm Rusche revision: 3.0 1(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Charakteristische Werte / Characteristic values min. Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, R G = 15Ω, Tvj = 25°C td,on VGE = ±15V, R G = 15Ω, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) tr td,off VGE = ±15V, R G = 15Ω, Tvj = 25°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse IC = 50A, V CE = 600V, V GE = ±15V Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse IC = 50A, V CE = 600V, V GE = 15V RG = 15Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 120nH RG = 15Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 120nH - µs - µs - 0,05 - µs - 0,05 - µs - 0,25 - µs - 0,30 - µs tf - 0,03 - µs - 0,07 - µs Eon - 6,4 - mJ Eoff - 6,2 - mJ ISC - 400 - A LσCE - 40 - nH RCC‘+EE‘ - 1,0 - mΩ min. typ. max. tP ≤ 10µs, V GE ≤ 15V, R G = 15Ω TVj≤125°C, V CC=900V, V CEmax=VCES -LσCE ·di/dt Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip 0,05 0,06 IC = 50A, V CE = 600V VGE = ±15V, R G = 15Ω, Tvj = 125°C Kurzschlußverhalten SC Data - IC = 50A, V CE = 600V VGE = ±15V, R G = 15Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, R G = 15Ω, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) max. IC = 50A, V CE = 600V VGE = ±15V, R G = 15Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, R G = 15Ω, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) typ. IC = 50A, V CE = 600V TC=25°C Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage IF = 50A, V GE = 0V, Tvj = 25°C Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 50A, - di F/dt = 1300A/µs VF IF = 50A, V GE = 0V, Tvj = 125°C VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 25°C IRM VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge 1,8 2,3 V 1,7 2,2 V - 52 - A - 66 - A IF = 50A, - di F/dt = 1300A/µs VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 25°C Qr VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy - - 5,1 - µC - 10,7 - µC - 1,9 - mJ - 4 - mJ IF = 50A, - di F/dt = 1300A/µs VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 125°C 2(8) Erec DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,27 K/W - - 0,60 K/W RthCK - 0,05 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Tvj op -40 - 125 °C Tstg -40 - 125 °C RthJC Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λΠαστε = 1 W/m * K / λgrease = 1 W/m * K Diode/Diode, DC Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 Kriechstrecke creepage distance 20 mm Luftstrecke clearance distance 11 mm CTI comperative tracking index 275 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Schraube / screw M6 M 3,0 - 6,0 Nm Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Anschlüsse / terminals M5 M 2,5 - 5,0 Nm Gewicht weight G 250 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information BSM50GB120DLC IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) V GE = 15V 100 90 Tvj = 25°C 80 Tvj = 125°C IC [A] 70 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) T vj = 125°C 100 90 VGE = 17V 80 VGE = 15V 70 VGE = 13V IC [A] VGE = 11V 60 VGE = 9V VGE = 7V 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information BSM50GB120DLC IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 100 90 Tvj = 25°C 80 Tvj = 125°C IC [A] 70 60 50 40 30 20 10 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 100 90 Tvj = 25°C 80 Tvj = 125°C IF [A] 70 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information BSM50GB120DLC IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) VGE=±15V, RG=15 Ω, VCE = 600V, T vj = 125°C 18 16 Eoff Eon 14 Erec E [mJ] 12 10 8 6 4 2 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=±15V , I C = 50A , VCE = 600V , T vj = 125°C 28 Eoff 24 Eon Erec E [mJ] 20 16 12 8 4 0 0 20 40 60 80 100 120 140 RG [Ω] 6(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information BSM50GB120DLC IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 1 Zth:Diode Zth:IGBT 0,01 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] i ri [K/kW] : IGBT τi [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [s] : Diode 1 2 3 4 52,7 177,41 14,08 25,81 0,009 0,045 0,073 0,229 35,54 261,69 232,72 70,05 0,003 0,022 0,064 0,344 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE =±15V, R G = 15 Ω, T vj= 125°C 120 100 80 IC [A] ZthJC [K / W] 0,1 IC,Modul IC,Chip 60 40 20 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GB120DLC 8(8) DB_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. 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