JIEJIE JCT026-18X Scr chip Datasheet

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江苏捷捷微电子股份有限公司
JCT026
○ 概述:
JCT026 是双面台面结构反向阻断高压晶闸管芯片;
主要工艺技术:台面玻璃钝化工艺技术、多层金属化技术等。
○ 产品主要用途:
无功补偿,固态继电器,电力模块等。
○产品极限参数(封装成 TO-247 后,除非另有规定,TCASE =25℃)
参数名称
测试条件
符号
数值
-16
-18
Tj
结温范围
-20
-40-125
单位
℃
断态重复峰值电压
Tj=25℃
VDRM
1600
1800
2000
V
反向重复峰值电压
Tj=25℃
VRRM
1600
1800
2000
V
通态平均电流
TC=80℃
IT(AV)
26
A
通态浪涌电流
tp=10mS
ITSM
400
A
tp=10mS
2
It
800
A2S
dI/dt
150
A/uS
2
I t值
VD=2/3VDRM
tp=200uS
通态电流临界上升率
IG=0.3A
dIG/dt=0.3A/uS
Tj=125℃
○产品电特性(封装成 TO-247 后,除非另有规定,TCASE =25℃)
特性
通态峰值电压
测试条件
符号
数值
单位
VTM
≤1.8
V
TC=25℃
IDRM1
≤10
uA
TC=125℃
IDRM2
≤5
mA
TC=25℃
IRRM1
≤10
uA
TC=125℃
IRRM2
≤5
mA
IGT
10-50
mA
IT=58A
tp=380uS
VD=VDRM
断态峰值电流
VR=VRRM
反向峰值电流
门极触发电流
VD=12V
RL=30Ω
擎住电流
IG=1.2 IGT
IL
≤150
mA
维持电流
I T=1A
IH
≤120
mA
电话:+86-513-83639777
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VD=12V
RL=30Ω
门极触发电压
门极不触发电压
VGT
≤1.5
V
VGD
≥0.25
V
dV/dt
≥1000
V/uS
VD=VDRM
Tj=125℃
VD=2/3VDRM
断态电压临界上升率
Tj=125℃
门极开路
○产品尺寸及特征
硅片尺寸
4inch
硅片厚度
420um
芯片尺寸
5.8mm×5.8mm
正面(门极、阴极)金属电极
AL 或 Ti-Ni-Ag
背面(阳极)金属电极
Ti-Ni-Ag
满版芯片个数
188 只
A
K
G
器件线路符号
K
G
A
JCT026 芯片结构图(单位:um)
○产品信息
电话:+86-513-83639777
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