GSME MMBD7000 Switching diode Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
MMBD7000
SWITCHING DIODE 開關二極管
▉FEATURES 特點
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Power dissipation 耗散功率
PD(Ta=25℃)
225
mW
Forward Current 正向電流
IF
200
mA
Reverse Voltage 反向電壓
VR
100
V
Junction and Storage Temperature
結溫和儲藏溫度
■DEVICE
-55to+150℃
TJ,Tstg
MARKING 打標
=M5C
MMBD7000
MMBD7000=
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊说明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓
(IR=100uA)
Reverse Leakage Current 反向漏電流
(VR=50V)
(VR=100V)
Forward Voltage(Test Condition)正向電壓
IF=1mA
IF=10mA
IF=100mA
Diode Capacitance 二極體電容
(VR=0V, f=1MHz)
Reverse Recovery Time 反向恢復時間
▉SOT-23 内部结构
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
V(BR)
100
—
V
IR
—
1
3
uA
550
670
750
700
820
1100
CD
—
1.5
pF
Trr
—
4
nS
VF
mV
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
MMBD7000
■DIMENSION 外形封裝尺寸
單位(UNIT):mm
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