Diotec GBI10A Silicon-bridge-rectifier Datasheet

GBI10A ... GBI10M
GBI10A ... GBI10M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2014-09-08
±0.2
±0.2
3.6
2.7
1.0
10
Nominal current
Nennstrom
±0.2
±0.2
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
30 x 20 x 3.6 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
7g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
0.8
2x7.5
10 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
17.5±0.2
4
±0.2
2.2
4.6
11±0.2
5
20±0.2
Type
Typ
±0.2
30
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
GBI10A
35
50
GBI10B
70
100
GBI10D
140
200
GBI10G
280
400
GBI10J
420
600
GBI10K
560
800
GBI10M
700
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
40 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
180/200 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
1
2
160 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
Tj
TS
M3
7 ± 10% lb.in.
0.8 ± 10% Nm
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
GBI10A ... GBI10M
Characteristics
Kennwerte
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
3.0 A 1)
2.4 A 1)
Max. rectified current with forced cooling
Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung
TC = 100°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
10.0 A
8.0 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
VF
< 1.1 V 2)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthJA
< 22 K/W 1)
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthJC
< 2.2 K/W
Type
Typ
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
RL [Ω]
GBI10A
20000
0.25
GBI10B
10000
0.5
GBI10D
5000
1.0
GBI10G
2500
2.0
GBI10J
1500
3.0
GBI10K
1000
4.0
GBI10M
800
5.5
103
120
[%]
[A]
100
2
10
80
Tj = 125°C
10
60
Tj = 25°C
40
1
20
IF
IFAV
0
0
TC
50
100
150
[°C]
10-1
0.4
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
1
2
2
225a-(5a-1.1v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept to ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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