BY880-50 ... BY880-1000 BY880-50 ... BY880-1000 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2010-08-09 Nominal current Nennstrom 7.5 ±0.1 Type 62.5 ±0.5 Ø 5.4 ±0.1 Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] 8A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 5.4 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] BY880-50 50 50 BY880-100 100 100 BY880-200 200 200 BY880-400 400 400 BY880-600 600 600 BY880-800 800 800 BY880-1000 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 8 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 400/450 A Rating for fusing,t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 800 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+175°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BY880-50 ... BY880-1000 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 8 A VF < 1.1 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 20 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 20 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL 2) 120 < 4 K/W 3 10 [%] [A] 100 2 10 80 Tj = 125°C 10 60 40 Tj = 25°C 1 20 IF IFAV 10-1 0 0 TA 100 50 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 300a-(5a-1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 3 10 [A] 2 10 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden In some standards, measurement of “case temperature” TC is required. For that, measure lead temperature TL and set TC = TL and RthC = RthL In einigen Normen wird die Messung der “Gehäusetemperatur” TC verlangt. In diesem Fall ist die Anschlussdrahttemperatur TL zu messen und folgende Ersetzung vorzunehmen: TC = TL and RthC = RthL http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG