桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA42 GMA43 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Voltage 集電極-射極電壓 Symbol 符號 GMA42 GMA43 Unit 單位 VCEO 300 200 Vdc Collector-Base Voltage 集電極-極電壓 VCBO 300 200 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極基極電壓 VEBO 6.0 6.0 Vdc Ic 500 500 mAdc Symbol 符號 PD Max 最大值 Unit 單位 225 mW 1.8 mW/℃ RΘJA 556 ℃/W PD 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W Collector Current-Continuous 集極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 Board(1) TA=25℃環境溫度 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■DEVICE MARKING 打標 GMA42=1D;GMA43=M1E 150℃, -55to+150℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA42 GMA43 CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) Characteristic Symbol Min 特性參數 符號 最小值 V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) GMA42 300 集電極-射極擊穿電壓(IC=1mAdc,IB=0) GMA43 200 V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage GMA42 300 集電極-基極擊穿電壓(IC=100µAdc,IE=0) GMA43 200 V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓(IE= 100µAdc ,IC=0) 6.0 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO (VEB=6.0Vdc,Ic=0) GMA42 — (VEB=4.0Vdc,Ic=0) GMA43 __ Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO (VCB=200Vdc,IE=0) GMA42 — (VCB=160Vdc,IE=0) GMA43 __ DC Current Gain 直流電流增益 HFE (Ic=1.0mAdc,VCE=10.0Vdc) 25 (Ic=10mAdc,VCE=10.0Vdc) 40 (Ic=30mAdc,VCE=10.0Vdc) GMA42 40 40 GMA43 Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) 集電極-發射極飽和壓降 GMA42 — (Ic=20mAdc, IB=2.0mAdc) GMA43 — ■ELECTRICAL Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 (Ic=20mAdc, IB=2.0mAdc) Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益帶寬乘積 (Ic=10mAdc,VCE=20Vdc,f=100MHz) Collector-Base Capacitance 輸出電容 (VCB=20.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz) １．FR-5=1.0×0.75×0.062in. ２．Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. ３．Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%. Max 最大值 Unit 單位 — — Vdc — __ Vdc — Vdc 100 100 nAdc 100 100 nAdc — — 300 — __ 0.5 0.5 Vdc VBE(sat) — 0.9 Vdc fT Ccb GMA42 GMA43 50 __ MHz — __ 3.0 4.0 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA42 GMA43 ■DIMENSION 外形封裝尺寸