Diotec GBI10J Single phase bridge rectifier Datasheet

GBI10A ... GBI10M
GBI10A ... GBI10M
IFAV = 10 A
VF < 1.1 V
Tjmax = 150°C
Single Phase Bridge Rectifier
Einphasen-Brückengleichrichter
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 180/200 A
trr
~ 1500 ns
Version 2017-03-23
±0.2
1.0
10
2x7.5
2.7
±0.2
4.6
±0.2
0.8
Dimensions - Maße [mm]
Features
UL recognized, File E175067
For free-standing or
heatsink assembly
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheit
UL-anerkannt, Liste E175067
Montage freistehend oder
auf Kühlkörper
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
2.2
11 ±0.5
20 ±0.2
Type
Typ
5 ±0.2
3.6
17.5 ±0.2
±0.2
4 ±0.2
30
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
Standardausführung 1)
EL
V
GBI
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
Commercial grade 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Packed in cardboard trays
500
Verpackt in Einlagekartons
Weight approx.
7g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V] 3)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 4)
GBI10A
35
50
GBI10B
70
100
GBI10D
140
200
GBI10G
280
400
GBI10J
420
600
GBI10K
560
800
GBI10M
700
1000
Max. rectified output current free standing
Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend
R-load
C-load
TA = 50°C
IFAV
3.0 A 1)
2.4 A 5)
Max. rectified output current with forced cooling
Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit forcierter Kühlung
R-load
C-load
TC = 100°C
IFAV
10.0 A
8.0 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 50°C
IFRM
40 A 5)
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
IFSM
180 A
200 A
t < 10 ms
i2t
160 A2s
Operating junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
Tj/S
-50...+150°C
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M3
7 ± 10% lb.in.
0.8 ± 10% Nm
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral
1
2
3
4
1
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
GBI10A ... GBI10M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
VF
< 1.1 V 1)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA 1)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
typ. 1500 ns 1)
Cj
55 pF 1)
Reverse recovery time – Sperrverzug
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
VR = 4 V
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
RthA
< 22 K/W 2)
Thermal resistance junction to case (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)
RthC
< 2.2 K/W
Type
Typ
Rt 3)
~
_
+
~
CL
4)
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
Rt [Ω] 3)
Admiss. load capacitor at Rt
Zul. Ladekondensator mit Rt
CL [µF] 4)
GBI10A
0.25
20000
GBI10B
0.5
10000
GBI10D
1.0
5000
GBI10G
2.0
2500
GBI10J
3.0
1500
GBI10K
4.0
1000
GBI10M
5.5
800
103
120
[%]
[A]
100
102
80
Tj = 125°C
10
60
Tj = 25°C
40
1
20
IF
IFAV
0
10
225a-(5a-1.1v)
-1
0
TC
50
100
150
[°C]
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1
2
3
4
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Rt = VRRM / IFSM
Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
CL = 5 ms / Rt
If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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