Diotec ES1F Superfast efficient smd rectifier diode Datasheet

ES1A ... ES1J
ES1A ... ES1J
IFAV = 1 A
VF1 < 0.92 V
Tjmax = 150°C
Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes
Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
VRRM = 50...600 V
IFSM = 30/33 A
trr
< 15...35 ns
Version 2015-10-22
± 0.2
2.2 ± 0.2
2.1 ± 0.2
5
± 0.3
Type
Typ
1.5 ±0.1
2.7 ± 0.2
0.15
4.5± 0.3
Dimensions - Maße [mm]
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Standardausführung 1)
Features
Extremely low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
1
Typical Applications
Rectification of higher frequencies
High efficient switching stages
Commercial grade 1)
EL
V
~ SMA / ~ DO-214AC
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
Mechanische Daten 1)
7500 / 13“
Weight approx.
Gegurtet auf Rolle
0.07 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings and Characteristics 2)
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
ES1A
50
50
ES1B
100
100
ES1C
150
150
ES1D
200
200
ES1F
300
300
ES1G
400
400
ES1J
600
600
Max. average forward rectified current – Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
TT = 100°C
IFAV
1A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
6 A 3)
Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 50/60 Hz
TA = 25°C
IFSM
30/33 A
TA = 25°C
2
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
it
4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 70 K/W 4)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
< 30 K/W
Typ. junction capacitance – Typ. Sperrschichtkapazitat
1
2
3
4
VR = 4 V
Cj
10 pF
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ES1A ... ES1J
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
at / bei
IF [A]
ES1A...ES1D
< 15
< 0.92
1
ES1F...ES1G
< 25
< 1.3
1
ES1J
< 35
< 1.7
1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 100 µA
10
120
[%]
[A]
100
ES1A...D
1
ES1F...G
80
60
ES1J
0.1
40
10-2
20
IF
IFAV
0
10-3
0
TA
100
50
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1 )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
10
Tj = 25°C
VF
Tj = 125°C
[µA]
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
[pF]
Tj = 85°C
1
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Tj = 25°C
10-1
10-2
Cj
IR
10-3
0
VRRM
40
60
[%]
VR
100
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
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