ES1A ... ES1J ES1A ... ES1J IFAV = 1 A VF1 < 0.92 V Tjmax = 150°C Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad VRRM = 50...600 V IFSM = 30/33 A trr < 15...35 ns Version 2015-10-22 ± 0.2 2.2 ± 0.2 2.1 ± 0.2 5 ± 0.3 Type Typ 1.5 ±0.1 2.7 ± 0.2 0.15 4.5± 0.3 Dimensions - Maße [mm] Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad Standardausführung 1) Features Extremely low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 1 Typical Applications Rectification of higher frequencies High efficient switching stages Commercial grade 1) EL V ~ SMA / ~ DO-214AC Mechanical Data 1) Taped and reeled Mechanische Daten 1) 7500 / 13“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings and Characteristics 2) Type Typ Grenz- und Kennwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] ES1A 50 50 ES1B 100 100 ES1C 150 150 ES1D 200 200 ES1F 300 300 ES1G 400 400 ES1J 600 600 Max. average forward rectified current – Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TT = 100°C IFAV 1A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 3) Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 50/60 Hz TA = 25°C IFSM 30/33 A TA = 25°C 2 Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms it 4.5 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 70 K/W 4) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 30 K/W Typ. junction capacitance – Typ. Sperrschichtkapazitat 1 2 3 4 VR = 4 V Cj 10 pF Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ES1A ... ES1J Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ES1A...ES1D < 15 < 0.92 1 ES1F...ES1G < 25 < 1.3 1 ES1J < 35 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 100 µA 10 120 [%] [A] 100 ES1A...D 1 ES1F...G 80 60 ES1J 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10-3 0 TA 100 50 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1 ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 10 Tj = 25°C VF Tj = 125°C [µA] Tj = 25°C f = 1.0 MHz [pF] Tj = 85°C 1 [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Tj = 25°C 10-1 10-2 Cj IR 10-3 0 VRRM 40 60 [%] VR 100 [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG