DIODE MODULE ダイオードモジュール DF20NA80/160 項 目 VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 定格ピーク繰返し逆電圧 定格ピーク非繰返し逆電圧 〜 （0.65） （0.25） （1.50） （2.10） （1.60） 〜 Unit 単位：mm − 1600 V 960 1700 V Conditions FT 項 目 条 Ratings 件 IFSM Surge Forward Current 50Hz/60Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value サージ順電流 50Hz/60Hz 正弦半波 非繰返し 1サイクル 波高値 PD 三相全波整流回路 電流二乗時間積 Unit 800 Three Phase full wave. TC＝111℃ Operating Junction Temperature Storage Temperature VISO Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） Terminals to case, AC 1minute 絶縁耐圧（実効値） 主端子ｰケース間，AC １分間 Mounting Torque Mounting（M3） Recommended Torque 締付トルク強度 取付 推奨値 Mass Typical Value 質量 標準値 電気的特性 Symbol Item 記号 項 目 IRRM Repetitive Peak Reverse Current VFM Forward Voltage Drop 逆電流 順電圧降下 Threshold Voltage 閾値電圧 Dynamic Resistance オン抵抗 Thermal Impedance Rth（j-c） 熱抵抗 Interface Thermal Impedance Rth（c-f） 接触熱抵抗 Unit 単位 A 320/350 A 500 A2s −40〜＋150 ℃ −40〜＋125 ℃ 2500 V 1サイクルサージ順電流に対する値 接合部温度 定格値 20 Value for one cycle of surge current Tstg rt （1.80） （0.20） 単位 直流出力電流 V（TO） 3.10 ＋0.20 −0.10 DF20NA160 Output Current（D.C.） ■Electrical Characteristics （0.10） 定格値 ID 保存温度 0.50±0.15 A（2：1） （0.65） （0.25） 〜 DF20NA80 Repetitive Peak Reverse Voltage Tj Tc point A 3.10 ＋0.20 −0.10 Ratings VRRM I2t 11.30±0.30 （2.40） 1.00±0.20 7.62±0.30 （30.48） （40.50） ria l Item 記号 I2t − （Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃） Symbol Item 〜 bottom side 最大定格 Symbol 記号 〜 4−R1 ＋ ■Maximum Ratings 〜 5.00±0.30 0.10（ザグリ部） 29.30±0.50 46.80±0.80 《用途》 • 溶接機・切断機 • 充電器 • 各種電源装置 • 㴹㱟㴖㱟制御 • 家電品 （30.0） ＋ （4.00） （2.50） 《Applications》 • Welding and Plasma Cutting Machines • Battery Chargers • Power Supplies • Motor Controls • Home Appliance （26.80） （8.0） （12.0） 2−φ3.30±0.20 《特長》 • 㴎㵊㴇㵂 㳻㵊㵀㳻㵊 㴨㴚㴈㱟㴏 • 低㴁㵊電圧 • 高㴌㱟㴏電流特性 • 絶縁耐圧2500V • RoHS指令適合 17.50±0.30 • 三相全波整流㴗㳻㴁㱟㴠㴹㴏㴼㱟㵂 （2.5） • Three Phase Rectifier Bridge 《Advantages》 • SIP (Single In-line Package) • Very Low Forward Voltage Drop • High Surge Current Capability • 2500V Isolation ratings • RoHS directive compliance Tc point 47.10±0.50 39.80±0.30 （35.50） 20.00±0.50 22.90±0.50 UL; E76102 （M） DF20NA80/160 (SIP-Diode Module) 0.5N N･m 0.8 （kgf･cm） 15 g （Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃） Conditions 条 Ratings 規格値 Unit Max. 単位 4 mA measurement Tj＝25℃，IFM＝20A， Inst. 瞬時測定 1.2 V Tj＝150℃ 0.85 V Tj＝150℃ 14.2 mΩ Junction to case per one module 0.8 ℃/W 0.13 ℃/W Tj＝150℃， 件 at VRRM VRRM 印加 接合ｰケース間 Case to Heat sink Thermal conductivity（Silicon grease）≒7×10−3［W/㎝・℃］ ケースｰヒートシンク間 シリコングリースの熱伝導率≒7×10−3 ［W/㎝・℃］ Min. Typ. DF20NA80/160 Output Current vs. Power Dissipation Maximum Forward Characteristics 最大電力損失特性 順方向電圧降下 60 Total Power Dissipation（W） １00.0 Max. Forward Current（A） Ｔ ｊ＝25℃ Three Phase 三相全波 50 電 40 力 損 失 30 Pav （W）20 順 電 流10.0 IF （A） 1.0 ０.5 1.0 1.5 10 0 ０ 2.0 15 20 25 Output Current vs. Allowable Case Temperature Surge Forward Current Rating（Non-Repetitive） サージ順電流耐量〈非繰り返し〉 400 Ｔhree Phase 三相全波 140 Surge Forward Current （A） 150 Per One Element 単位エレメント当り 350 サ ー 300 ジ 順 250 電 流 ︵ 200 波 高 150 値 ︶ 100 （A） ria l 60 50 ０ 5 10 15 FT Allowable Case Temperature（℃） 10 出力電流対最大許容ケース温度 最 130 大 許 120 容 110 ケ ー 100 ス 90 温 度 80 （℃）70 20 25 PD Output Current（A） 出力電流（A） Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W） 5 Output Current（A） 出力電流 ID（A） Forward Voltage Drop（V） 順電圧降下 VF（V） Transient Thermal Impedance 過渡熱インピーダンス特性 1 過 渡 熱 イ ン ピ ー ダ ン 0.1 ス θj-c Maximum 最大値 ︵ ℃ ／ Ｗ ︶ Junction to Case 接続部−ケース間 per one Module モジュール当たり 0.01 1.0E−02 1.0E−01 1.0E＋00 Time（s） 時間（s） 1.0E＋01 Ｔ ｊ＝25℃ Start 60Hz 50Hz 50 0 1 10 Time（Cycles） 通電時間（サイクル数） 100