RoHS H1AF THRU H1MF COMPLIANT 高效整流二极管 High Efficient Rectifier Diode ■特征 Features ● Io ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark 1.0A VRRM 50V~1000V ● 玻璃钝化芯片 Glass passivated chip ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability SMAF ● .189(4.80) .173(4.40) .142(3.60) .134(3.40) .049(1.25) .041(1.05) 0.232 (5.9) .110(2.80) .057(1.45) .094(2.40) .053(1.35) 0.075 (1.9) ■用途 Applications ● 0.106 (2.7) 作一般电源单相整流 For general power supply single-phase rectifier 0.063 (1.6) .009(0.22) .006(0.15) .039(1.00) .020(0.50) Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 参数名称 Item 符号 单位 Symbol Unit 条件 Conditions H1 AF BF DF GF JF KF MF 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current IO A 60Hz单向半波，电阻负载，Ta=75℃ 60Hz One-way half-wave, R-load,Ta=75℃ 1.0 IFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ 30 Tstg ℃ -55 ~+150 Tj ℃ -55 ~+150 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Non-repetitive) Forward Current 存储温度 Storage Temperature 结温 Junction Temperature 50 100 200 400 600 800 1000 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 最大反向恢复时间 Maximum reverse recovery time 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻 Thermal Resistance S-S058 Rev. 1.4, 28-Apr-14 符号 单位 Symbol Unit 测试条件 Test Condition H1 AF BF DF GF JF KF MF VFM V IFM=1.0A trr ns IF=0.5A,IR=1.0A,IRR=0.25A IRRM μA VRM=VRRM , Ta=25℃ 5 RθJ-L ℃/W 结和引线之间 Between junction and lead 20 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 1.0 1.3 50 1.7 75 www.21yangjie.com H1AF THRU H1MF ■特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 图2：耐正向浪涌电流曲线 FIG2:Surge Forward Current Capadility IFSM(A) 1.2 1.0 正弦波 sine wave 35 0 30 IFSM Io(A) 图 1 ： Io-Ta 曲线 FIG1:Io-Ta Curve 8.3ms 8.3ms 1cycle 0.8 25 不重复 non-repetitive Tj=25℃ 20 0.6 15 0.4 0.2 0 10 单相半波60Hz 电阻负载 Single Phase Half Wave 60Hz Resistive Load 5 0 0 40 80 120 160 Ta ℃ ) 1 IR(uA) IF(A) 图3：正向电压曲线 FIG3: Forward Voltage 6 4 5 2 10 20 50 100 Number of Cycles 图4：反向电流曲线 FIG4:Typical Reverse Characteristics 100 2 H1AF~H1DF 10 1 H1GF H1JF~H1MF 0.5 Tj=25℃ 1.0 0.1 0.1 0.05 Ta=25℃ 0.02 0.01 0.01 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0 2.4 VF(V) 20 40 60 80 100 Voltage(%) 图5: 反向恢复时间试验电路及测试波形示意图 FIG.5: Diagram of circuit and Testing wave form of reverse recovery time I D trr IF VR IF RL t 0 IRR IR S-S058 Rev. 1.4, 28-Apr-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com