BC817W / BC818W BC817W / BC818W IC = 500 mA hFE ~ 180/290/520 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren VCEO = 25...45 V Ptot = 200 mW Version 2016-04-13 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) 2±0.1 0.3 1±0.1 ±0.1 2.1 2 Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 2=E Pb Mechanical Data 1) 1.3 1=B Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 RoHS EE WE Type Code 1 1.25±0.1 3 EL V SOT-323 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) 3=C Dimensions - Maße [mm] 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BC817W BC818W Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 200 mW 2) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 500 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. hFE hFE hFE 100 160 250 – – – 250 400 600 hFE 40 – – – – 0.7 V 3 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) VCE = 1 V, IC = 100 mA Group -16 Group -25 Group -40 VCE = 1 V, IC = 500 mA all groups 3 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ) IC = 500 mA, IB = 50 mA 1 2 3 VCEsat Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC817W / BC818W Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) . Min. Typ. Max. VBE – – 1.2 V ICBO – – 100 nA IEBO – – 100 nA fT 100 MHz – – CCBO – – 5 pF 1 Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung ) 2 VCE = 1 V, IC = 500 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 20 V, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 5 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft < 625 K/W 1) RthA Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren BC807W / BC808W 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG