NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HE13009 █ ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＳＷＩＴＣＨ ＭＯＤＥ ＡＰＰＬＩＣＩＣＡＴＩＯＮＳ High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220AB T stg ——Storage Temperature………………………… －65~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 100W VCBO ——Collector-Base Voltage…………………………… 700V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V 1―Base，B VEBO ——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V 2―Collector，C 3―Emitter, E IC——Collector Current（DC）……………………………… 12A IB——Base Current……………………………………………6A █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol BVCEO IEBO Characteristics Collector-Emitter Breakdown Voltage Min Typ Max ４００ Emitter Cut-off Current １ Unit Test Conditions Ｖ ＩＣ＝１０ｍＡ，ＩＢ＝０ ｍＡ ＶＥＢ＝９Ｖ， ＩＣ＝０ HFE（1） DC Current Gain ８ ４０ ＶＣＥ＝５Ｖ， ＩＣ＝５Ａ HFE（2） ６ ３０ ＶＣＥ＝５Ｖ， ＩＣ＝８Ａ VCE(sat1) Collector- Emitter Saturation Voltage １ Ｖ ＩＣ＝５Ａ， ＩＢ＝１Ａ VCE(sat2) １．５ Ｖ ＩＣ＝８Ａ， ＩＢ＝１．６Ａ VCE(sat3) ３ Ｖ ＩＣ＝１２Ａ， ＩＢ＝３Ａ １．２ Ｖ ＩＣ＝５Ａ， ＩＢ＝１Ａ １．６ Ｖ ＩＣ＝８Ａ， ＩＢ＝１．６Ａ ｐＦ ＶＣＢ＝１０Ｖ，ｆ＝０．１ＭＨｚ ＭＨｚ ＶＣＥ＝１０Ｖ， ＩＣ＝０．５Ａ VBE(sat1) Base-Emitter Saturation Voltage VBE(sat2) Cob fT Output Capacitance Current Gain-Bandwidth Product tON Turn-On Time tSTG Storage tF Fall Time Time １８０ ４ １．１ μＳ ３ μＳ ＶＣＣ＝１２５Ｖ， ＩＣ＝８Ａ ０．７ μＳ ＩＢ１＝－ＩＢ２＝１．６Ａ Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN SILICON TRANSISTOR HE13009 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN SILICON TRANSISTOR HE13009