NIEC NB06QSA045 Schottky barrier diode Datasheet

6A Avg.
■最大定格
45 Volts
SBD
NB06QSA045
Maximum Ratings
■OUTLINE DRAWING(mm)
Item
Symbol
Conditions
Unit
く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
V RRM
45
V
平
均
整
流
電
流
Average Rectified Forward Current
IO
実
効
順
電
流
R.M.S. Forward Current
サ
ー
ジ
順
電
流
Surge Forward Current
動 作 接 合 温 度 範 囲
Operating Junction Temperature Range
保
存
温
度
範
囲
Storage Temperature Range
I F(RMS)
■電気的・熱的特性
I FSM
6.0
A
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し
50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
A
T jw
−40〜+150
℃
T stg
−40〜+150
℃
Symbol
電
流
I RM
電
圧
V FM
熱
抵
Thermal Resistance
A
A
6.66
60
3.4
■APPROX. NET WEIGHT:0.06 g
Electrical/ Thermal Characteristics
Item
ピ
ー
ク
逆
Peak Reverse Current
ピ
ー
ク
順
Peak Forward Voltage
50Hz、正弦半波通電抵抗負荷
50Hz Half Sine Wave Resistive Load
*1
Ta=27℃*2
VRM=20V
Tl=81℃
Tl:lead Temperature
VRM=20V
抗
R th(j-a)
R th(j-l)
Conditions
一素子あたり
Tj=25℃, VRM=45V, Per Diode
一素子あたり
Tj=25℃, IFM=3A, Per Diode
接合部・周囲間
*2 ガラエポ基板実装
Junction to Ambient
接合部・リード間
−
Junction to Lead
Min.
Typ.
Max.
Unit
−
−
200
μA
−
−
0.55
V
−
−
60
℃/W
−
7
℃/W
*1 カソードコモン動作による/Common Cathode Operation
*2 ガラエポ基板実装/Glass-Epoxy Substrate mounted (Soldering Lands= 2.0 × 1.5 mm, 2.0 × 3.5 mm , Both Sides)
■定格・特性曲線
FIG.1
FIG.2
FIG.3
FIG.4
FIG.5
FIG.6
FIG.7
FIG.8
Similar pages