桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMD882 TO-126 晶體管(TO-126 Transistors) 功能 NPN Si transistor suited for the output stage of 3W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. NPN 矽三極管，適用于 3W 輸出的音頻放大，電壓調整，DC-DC 轉 換和繼電器驅動。 ■FEATURES 特點 Low saturation voltage 低飽和壓降 Excellent hFE linearity and high hFE 好線性和高的放大倍數 ■DESCRIPTION ■MAXIMUM (Ta=25℃) RATINGS 最大額定值(T CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current DC 集電極電流-连续 Collector Current pulse 集電極電流-脉冲 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 VCBO 40 V VCEO 30 V VEBO 5.0 V Ic 3.0 A Ic 7.0 A PC 3 W Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMD882 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) Characterstic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Min TYP Max 最小值 典型值 最大值 Unit 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=30V,IE=0 — — 1.0 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=5V,IC=0 — — 1.0 μA V(BR)CBO IC=100μA 40 — — V V(BR)CEO IC=10mA 30 — — V V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V HFE(1) VCE=2V,I C=20A 30 — — HFE(2) VCE=2V,I C=1A 60 — 400 VCE(sat) IC=2A, IB=200mA — 0.3 0.5 V Base Saturation Voltage 基極飽和電壓 VBE(sat) IC=2A, IB=200mA — 1.0 2.0 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=5V,IC=100mA — 90 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz — 55 — pF Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector Saturation Voltage 集電極飽和壓降 ■DEVICE MARKING 打標 GM D8822 D88 P GM D8822 D88 E ■HFE RANGE 160-320 P 放大倍數分檔 200~400 200~400 E — 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMD882