BAV100 ... BAV103 BAV100 ... BAV103 Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2005-08-15 0.4 3.5 0.4 1.6 Max. power dissipation – Max. Verlustleistung 500 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...300 V Plastic case MiniMELF Kunststoffgehäuse MiniMELF DO-213AA Weight approx.– Gewicht ca. 0.04 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Marking: One green ring denotes “cathode” and “superfast switching diode” The type numbers are noted only on the lable on the reel Kennzeichnung: Ein grüner Ring kennzeichnet “Katode” und “superschnelle Diode” Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) BAV100 50 60 BAV101 100 120 BAV102 200 200 BAV103 300 300 Max. power dissipation Max. Verlustleistung TA = 75°C Ptot 500 mW 2) Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 650 mA 2) Peak forward surge current, t ≤ 1 s Stoßstrom, t ≤ 1 s TA = 25°C IFSM 1A Peak forward surge current, t ≤ 1 µs Stoßstrom, t ≤ 1 µs TA = 25°C IFSM 5A Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAV100 ... BAV103 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 0.2 A VF < 1.25 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 50 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 150 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 70 K/W 10 120 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125°C 10-1 60 40 Tj = 25°C -2 10 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-3 0 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 1 2 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG