Sanyo MCH5824 Mch5824 Datasheet

注文コード No. N 8 2 0 1
MCH5824
MCH5824
MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
SBD : ショットキバリアダイオード
汎用スイッチングデバイス
特長
・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3447)とショットキバリアダイオード(SS05015)を 1 パッケージに
内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・[MOS]
・ 低オン抵抗。
・ 超高速スイッチング。
・ 4V 駆動。
・[SBD]
・ 逆回復時間が短い。
・ 低順電圧。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
条件
[MOSFET 部]
ドレイン・ソース電圧
VDSS
ゲート・ソース電圧
VGSS
ドレイン電流(DC)
ID
ドレイン電流(パルス)
IDP
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
許容損失
PD
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
チャネル温度
Tch
保存周囲温度
Tstg
[SBD 部]
繰り返しピーク逆電圧
VRRM
非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM
平均整流電流
IO
サージ順電流
IFSM
50Hz 正弦波 1 サイクル
接合部温度
Tj
保存周囲温度
Tstg
定格値
unit
20
± 15
1.2
4.8
0.6
150
− 55 〜+ 125
V
V
A
A
W
℃
℃
15
15
0.5
3
− 55 〜+ 125
− 55 〜+ 125
V
V
A
A
℃
℃
単体品名表示:XA
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
21805PE TS IM ◎川浦 TB-00001213 No.8201-1/5
MCH5824
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
[MOSFET 部]
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
[SBD 部]
逆電圧
順電圧
逆電流
端子間容量
逆回復時間
条件
min
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=1mA, VGS=0
VDS=20V, VGS=0
VGS= ± 12V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=600mA
ID=600mA, VGS=10V
ID=300mA, VGS=4.5V
ID=300mA, VGS=4V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.2A
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.2A
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.2A
IS=1.2A, VGS=0
VR
VF
IR
C
trr
IR=0.5mA
IF=0.5A
VR=6V
VR=10V, f=1MHz
IF=IR=100mA, 指定回路において
外形図
unit : mm
2195
1.2
480
1
± 10
2.6
800
240
480
590
38
13.5
9.2
5.0
16.0
9.4
3.4
2.1
0.6
0.2
0.92
320
675
830
1.2
15
0.4
0.46
90
13
10
unit
V
µA
µA
V
mS
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
V
V
µA
pF
ns
電気的接続図
0.25
4
0.15
0.3
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
5
3
2
1
0.65
0.07
1.6
4
5
2.0
4
(Bottom view)
0.85
0.25
max
20
5
2.1
定格値
typ
1
2
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
1
2
3
Top view
3
(Top view)
SANYO : MCPH5
No.8201-2/5
MCH5824
スイッチングタイム測定回路図
[MOSFET 部]
trr 指定回路図
[SBD 部]
Duty≦10%
VDD=10V
100mA
ID=600mA
RL=16.7Ω
VOUT
D
50Ω
100Ω
10Ω
100mA
VIN
10µs
PW=10µs
D.C.≦1%
10mA
VIN
10V
0V
--5V
G
S
MCH5824
ID -- VDS
[MOSFET部]
ID -- VGS
1.2
[MOSFET部]
V
5.0
V
4.5
V
4.0
V
VDS=10V
6.0
8.0V
1.2
3.0V
0.6
0.4
2.5V
0.8
0.6
0.4
25
°C
0.2
0.2
VGS=2.0V
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT09117
RDS(on) -- VGS [MOSFET部]
1000
Ta=25°C
900
800
700
600mA
600
500
ID=300mA
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
18
0
1.0
20
IT09119
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
Ta
=7
-2
5°C
5°
C
0.8
ドレイン電流, ID -- A
10.0
ドレイン電流, ID -- A
V
Ta=
1.0
1.0
25°C 75°
C
50Ω
--25°
C
P.G
trr
1000
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT09118
RDS(on) -- Ta [MOSFET部]
900
800
700
V
=4.0
VGS
V
=4.5
, VGS
A,
300m
600
I D=
500
00
I D=3
mA
400
=10.0V
A, V GS
300
0m
I D=60
200
100
0
--60
--40 --20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT09120
No.8201-3/5
MCH5824
yfs -- ID
1.0
7
°C
25
=-
2
°C
25
Ta
°C
75
0.1
7
5
3
2
75°
C
25°
C
--25
°C
3
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
3
2
2
3
5 7 0.01
2
3
5 7 0.1
2
SW Time -- ID
100
3
0.001
0.3
5 7 1.0
0.4
0.5
IT09121
[MOSFET部]
VDD=10V
VGS=10V
7
Ciss,
100
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT09122
Coss, Crss -- VDS [MOSFET部]
f=1MHz
7
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
VGS=0
Ta =
5
ドレイン電流, ID -- A
3
2
tf
td (of
f)
tr
10
7
td(on)
5
5
Ciss
3
2
Coss
Crss
10
7
3
2
0.01
5
2
3
5
7
2
0.1
3
5
7
VGS -- Qg
10
0
1.0
IT09123
ドレイン電流, ID -- A
[MOSFET部]
10
7
5
VDS=10V
ID=1.2A
9
8
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
[MOSFET部]
1.0
7
5
0.01
0.001
7
6
5
4
3
2
3
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT09125
PD -- Ta
[MOSFET部]
0.8
セ
0.6
ラ
ミ
ッ
ク
基
0.4
板
(9
00
m
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT09124
ASO
[MOSFET部]
IDP=4.8A
<10µs
1m
s
ID=1.2A
10
1.0
7
5
DC
op
0µ
s
ms
0m
s
ati
on
Operation in this
area is limited by RDS(on).
0.1
7
5
10
10
er
3
2
3
2
1
許容損失, PD -- W
IF -- VSD
3
2
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
[MOSFET部]
VDS=10V
(T
a=
25
°C
)
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時1unit
0.01
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
3
IT09128
m2
×
0.8
m
m
)装
0.2
着
時
1u
ni
t
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT09150
No.8201-4/5
MCH5824
IF -- VF
1.0
[SBD部]
7
5
逆電流, IR -- µA
0.1
7
5
Ta=
125
°C
100
°C
75°
C
50°
C
25°C
順電流, IF -- A
3
2
3
2
Ta=125°C
100°C
1000
7
5
3
2
75°C
50°C
100
7
5
3
2
25°C
1.0
0.1
0.2
0.3
0.4
順電圧, VF -- V
(1)
(1)方形波 θ=60°
(2)方形波 θ=120°
(3)方形波 θ=180°
(4)正弦波 θ=180°
0.8
0.7
10
15
逆電圧, VR -- V
IT06804
PF(AV) -- IO
0.9
5
0
0.5
[SBD部]
IT06805
C -- VR
7
[SBD部]
(2) (4) (3)
f=1MHz
5
端子間容量, C -- pF
0
平均順電力損失, PF(AV) -- W
[SBD部]
10
7
5
3
2
0.01
0.6
0.5
方形波
0.4
θ
0.3
360°
正弦波
0.2
3
2
10
7
0.1
180°
360°
1.2
0
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
平均順電流, IO -- A
1.4
IT06806
IFSM -- t
3.5
サージ順電流, IFSM(ピーク値) -- A
IR -- VR
10000
7
5
3
2
5
1.0
2
3
5
7
2
10
逆電圧, VR -- V
3
IT06807
[SBD部]
電流波形 50Hz正弦波
3.0
IS
20ms
t
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
時間, t -- s
5
7
1.0
2
3
ID00338
取り扱い上の注意:本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
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が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
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保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.8201-5/5
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