2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 0 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im ● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Großer Öffnungskegel Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG liquid phase epitaxy process Cathode is electrically connected to the case High reliability Wide beam Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 DIN humidity category in acc. with DIN 40 040 GQG ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● Anwendungen Applications ● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen ● Lichtschranken für Gleich- und ● IR remote control and sound transmission ● Photointerrupters Wechsellichtbetrieb Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package LD 242-2 Q62703-Q198 LD 242-3 Q62703-Q199 LD 242 E7800 Q62703-Q3509 Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster (1/10’’) Semiconductor Group Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transparent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’) 1 1998-07-15 LD 242 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom, TC = 25 °C Forward current IF 300 mA Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung, TC = 25 °C Power dissipation Ptot 470 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektraler Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 40 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.5 × 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top H 0.3 ... 0.7 mm Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1998-07-15 LD 242 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 1 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V Co 40 pF VF VF 1.3 (≤ 1.5) 1.9 (≤ 2.5) V V Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 16 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA TCI – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA TCλ 0.3 nm/K Semiconductor Group 3 Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA IF = 1 A, tp = 100 µs 1998-07-15 LD 242 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Symbol Ie Ie typ. Werte Values Einheit Unit -2 -3 78001) 4 ... 8 50 > 6.3 75 1 ... 3.2 – mW/sr mW/sr 1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt, daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. 1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. Semiconductor Group 4 1998-07-15 LD 242 Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity Max. permissible forward current IF = f (TA) Single pulse, tp = 20 µs OHR01938 100 OHR01037 10 2 Ιe OHR00971 300 Ι F mA Ι e (100 mA) % Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA 250 80 10 1 R thJL = 160 K/W 200 60 150 R thJA = 450 K/W 40 10 0 100 20 50 0 880 920 960 1000 nm λ 10 -1 10 -2 1060 OHR01040 10 1 A ΙF A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T A, T L OHR01937 10 4 mA tP D= 5 typ. 10 0 10 0 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter Forward current IF = f (VE) ΙF 10 -1 tP T max. 10 3 ΙF T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 5 10 -1 DC 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 10 2 10 -5 4 V 4.5 VF 10 -4 10 -3 10 -2 s τ 10 0 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01877 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 5 100 120 1998-07-15