RoHS MBR16100 THRU MBR16200 COMPLIANT 肖特基二极管SCHOTTKY Diodes ■特征 ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark Features 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability ● 低功耗，大电流 Low Power loss, High efficiency ● Io 16.0A V 100-200V ● RRM ● TO-220AC .429(10.9) MAX .129(3.27) .087(2.22) DIA .200(5.10) .159(4.04) .055(1.40) .045(1.14) .61(15.5) .571(14.5) PIN1 2 .126(3.19) .084(2.14) .176(4.46) .124(3.16) ■用途 Applications ● 快速整流用 High speed switching .17(4.31) .131(3.34) .576(14.62) .514(13.06) .037(0.94) .027(0.68) .025(0.64) .011(0.28) .22(5.60) .179(4.55) PIN1 PIN2 ■极限值（绝对最大额定值） CASE Dimensions in inches and (millimeters) Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 参数名称 Item 符号 单位 Symbol Unit 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current Io A IFSM A 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持 续 时间的积分值 Current Squared Time I2t MBR 条件 Conditions 16100 100 正弦半波60Hz，电阻负载，Tc(Fig.1) 60HZ Half-sine wave, Resistance load, Tc(Fig.1) 60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃ 16150 150 16200 200 16 250 1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,单个二 A2s 极管 1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,Rating 261 of per diode 贮存温度 Storage Temperature Tstg ℃ Tj ℃ 结温 Junction Temperature -55 ~ +150 在正向直流条件下，没有施加反向压 降，通电≤1h（图示1）① IN DC Forward Mode-Forward Operations，without reverse bias, t ≤1 h (Fig. 1)① -55 ~ +150 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 符号 Symbol 单位 Unit 测试条件 Test Condition 16100 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻 Thermal Resistance ■ 备注 VFM V IRRM1 IRRM2 RθJ-C mA ℃/W I FM =16.0A VRM =VRRM 最大值 Max MBR 16150 0.85 0.9 Ta=25℃ 0.05 Ta=100℃ 1 16200 0.95. 结和壳之间 Between junction and case 2.0 NOTE ①Meets the requirements of IEC 61215 Ed. 2 bypass diode thermal test. S-B152 Rev.1.1, 29-Nov-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com MBR16100 THRU MBR16200 ■ 特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 图2：耐正向浪涌电流曲线 FIG2:Surge Forward Current Capadility IFSM(A) Io(A) 图1：正向电流降额曲线 FIG1: IF（AV）--Tc Derating 28.0 24.0 20.0 300 250 200 16.0 TC measure point IN DC 150 12.0 8.0 100 4.0 50 0 50 0 150 Tc(℃) 100 8.3ms Single Half Since-Wave JEDEC Method 0 1 2 5 10 20 50 100 Number of Cycles at 60Hz 100 IRRM(uA) IF(A) 图3：正向电压曲线 FIG3:Instantaneous Forward Voltage 60 20 图4：反向电流曲线 FIG4:Typical Reverse Characteristics 1000 Tj=100 ℃ MBR16100 100 10 5.0 MBR16150 10 MBR16200 1.0 0.2 0.1 Tj=25 ℃ 1.0 0.5 Ta=25℃ 0 0.1 0.2 0.3 0.4 S-B152 Rev.1.1, 29-Nov-14 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 VF(V) 0.1 0 20 40 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 60 80 100 V RRM (%) www.21yangjie.com