GSME GMBT5551 Npn high voltage transistor Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBT5551(销售型號 MMBT5551)
■FEATURES 特點
NPN High Voltage Transistor
S 最大額定值
■MAXIMUM RATING
RATINGS
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Rating 額定值
Unit 單位
Collector Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
160
Vdc
Collector Base Voltage
集電極-基極電壓
VCBO
180
Vdc
Emitter Base Voltage
發射極-基極電壓
VEBO
6.0
Vdc
Ic
600
mAdc
Collector Current—Continuous
集電極電流-連續
■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃超過 25℃遞減
PD
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻
RΘJA
Total Device Dissipation 總耗散功率
Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
PD
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻
RΘJA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
TJ,Tstg
■DEVICE
MARKING 打標
BT
5551(销售型號 MMBT5551)=G1
GM
GMBT
BT5551
Max 最大值
Unit 單位
225
mW
1.8
mW/℃
556
℃/W
300
mW
2.4
mW/℃
417
℃/W
150℃, -55to+150℃
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GMBT5551(销售型號 MMBT5551)
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Collector Emitter Breakdown Voltage(3)
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=1.0mAdc,IB=0)
V(BR)CEO
160
—
Vdc
Collector Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓(Ic=100μAdc,IE=0)
V(BR)CBO
180
—
Vdc
V(BR)EBO
6.0
—
Vdc
IEBO
—
50
nAdc
ICBO
—
50
nAdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓(IE=10μAdc,Ic=0)
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流(VEB=4.0Vdc,Ic=0)
Collector Cutoff Current
集電極截止電流(VCB=120Vdc,IE=0)
DC Current Gain 直流電流增益
(Ic=1.0mAdc,VCE=5.0Vdc)
(Ic=10mAdc,VCE=5.0Vdc)
(Ic=50mAdc,VCE=5.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
(Ic=10mAdc, IB=1.0mAdc)
(Ic=50mAdc, IB=5.0mAdc)
HFE
—
80
80
30
—
250
—
—
—
0.15
0.2
VBE(sat)
—
—
1.0
1.0
Vdc
fT
100
300
MHz
Output Capacitance 輸出電容
(VCB=-10.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz)
Cobo
—
6.0
pF
Small-Signal Current Gain 小信號電流增益
(VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz)
hfe
40
200
—
Noise Figure 噪声係數
(VCE=-5.0Vdc, IC=-200μAdc,Rs=1.0kΩf=1.0KHz)
NF
—
8.0
dB
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
(Ic=10mAdc, IB=1.0mAdc)
(Ic=50mAdc, IB=5.0mAdc)
Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積
(Ic=-10mAdc,VCE=-10Vdc,f=100MHz)
1.FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2.Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3.ulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
VCE(sat)
Vdc
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GMBT5551(销售型號 MMBT5551)
■DIMENSION 外形封裝尺寸
單位(UNIT):mm
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