桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBT5551(销售型號 MMBT5551) ■FEATURES 特點 NPN High Voltage Transistor S 最大額定值 ■MAXIMUM RATING RATINGS Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 160 Vdc Collector Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 180 Vdc Emitter Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 6.0 Vdc Ic 600 mAdc Collector Current—Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃超過 25℃遞減 PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■DEVICE MARKING 打標 BT 5551(销售型號 MMBT5551)=G1 GM GMBT BT5551 Max 最大值 Unit 單位 225 mW 1.8 mW/℃ 556 ℃/W 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W 150℃, -55to+150℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBT5551(销售型號 MMBT5551) ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 Collector Emitter Breakdown Voltage(3) 集電極-發射極擊穿電壓(Ic=1.0mAdc,IB=0) V(BR)CEO 160 — Vdc Collector Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓(Ic=100μAdc,IE=0) V(BR)CBO 180 — Vdc V(BR)EBO 6.0 — Vdc IEBO — 50 nAdc ICBO — 50 nAdc Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓(IE=10μAdc,Ic=0) Emitter Cutoff Current 發射極截止電流(VEB=4.0Vdc,Ic=0) Collector Cutoff Current 集電極截止電流(VCB=120Vdc,IE=0) DC Current Gain 直流電流增益 (Ic=1.0mAdc,VCE=5.0Vdc) (Ic=10mAdc,VCE=5.0Vdc) (Ic=50mAdc,VCE=5.0Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 (Ic=10mAdc, IB=1.0mAdc) (Ic=50mAdc, IB=5.0mAdc) HFE — 80 80 30 — 250 — — — 0.15 0.2 VBE(sat) — — 1.0 1.0 Vdc fT 100 300 MHz Output Capacitance 輸出電容 (VCB=-10.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Cobo — 6.0 pF Small-Signal Current Gain 小信號電流增益 (VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz) hfe 40 200 — Noise Figure 噪声係數 (VCE=-5.0Vdc, IC=-200μAdc,Rs=1.0kΩf=1.0KHz) NF — 8.0 dB Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 (Ic=10mAdc, IB=1.0mAdc) (Ic=50mAdc, IB=5.0mAdc) Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積 (Ic=-10mAdc,VCE=-10Vdc,f=100MHz) １．FR-5=1.0×0.75×0.062in. ２．Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. ３．ulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%. VCE(sat) Vdc 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBT5551(销售型號 MMBT5551) ■DIMENSION 外形封裝尺寸 單位(UNIT)：mm