RoHS MBSK12S THRU MBSK110S COMPLIANT 肖特基桥式整流器 Schottky Bridge Rectifier ■特征 Features ● Io ■外形尺寸和印记 1.0A Outline Dimensions and Mark MBS .014(0.35) .006(0.15) VRRM 20V~100V ● 肖特基芯片 Schottky chip ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability ● 低正向电压 Low VF ● .008(0.20) MAX .157(4.00) .142(3.60) 0.094 (2.40) .276(7.0) MAX 0.236 (6.00) .102(2.60) .087(2.20) .193(4.90) .177(4.50) .043(1.10) .028(0.70) .053(1.53) .037(0.95) .053(1.53) .037(0.95) ■用途 Applications ● Mounting Pad Layout .083(2.12) .043(1.10) .106(2.70) .090(2.30) 作一般电源单相桥式整流用 General purpose 1 phase Bridge rectifier applications 0.072 (1.84) .118(3.0) MAX 0.047 (1.20) .033(0.84) .022(0.56) Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 参数名称 Item 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Nonrepetitive)Forward Current 正向浪涌电流的平方对电流 浪涌持续时间的积分值 Current Squared Time 存储温度 Storage Temperature 结温 Junction Temperature 符号 单位 Symbol Unit VRRM IO 条件 Conditions 12S 14S 16S 18S 110S 20 V A MBSK 60Hz正弦波， 电阻负载，Ta=25℃ 60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ 40 60 安装在氧化铝基板上 On alumina substrate 1.0 安装在玻璃-环氧基板上 On glass-epoxi substrate 0.8 IFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ 40 2 It A2S 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode 6.6 Tstg ℃ -55 ~+150 Tj ℃ -55 ~+150 80 100 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 符号 单位 Symbol Unit 测试条件 Test Condition 最大值 Max 正向峰值电压 Peak Forward Voltage VFM V IFM=0.5A, 脉冲测试，单个二极管的额定值IFM=0.5A, Pulse measurement, Rating of per diode 反向峰值电流 Peak Reverse Current IRRM mA VRM=VRRM ,脉冲测试，单个二极管的额定值 VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode 0.5 结和环境之间，安装在氧化铝基板上 Between junction and ambient, On alumina substrate 76 结和环境之间，安装在玻璃-环氧基板上 Between junction and ambient, On glass-epoxi substrate 134 结和引线之间 Between junction and lead 20 热阻 Thermal Resistance RθJ-A ℃/W RθJ-L S-S150 Rev. 1.2, 28-Apr-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 0.55 0.65 0.75 www.21yangjie.com MBSK12S THRU MBSK110S 图 1 ： Io-Ta 曲线 FIG1:Io-Ta Curve 图2：耐正向浪涌电流曲线 FIG2:Surge Forward Current Capadility 1.8 焊接区soldering land 导体箔conductor layer 基板厚度substrate thickness 1.5 ① 1mm×1mm 35um ② 1mm×1mm 20um 0.64mm 正弦波 sine wave 70 0 60 IFSM Io(A) ■特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 8.3ms 8.3ms 1cycle ②在氧化铝基板上 on alumina substrate 1.2 50 正弦波，电阻负载， sine wave R-load 0.9 不重复 non-repetitive Tj=25℃ 40 30 0.6 20 ①在玻璃-环氧基板上 on glass-epoxi substrate 0.3 10 0 0 40 80 160 Ta(℃ ) 120 2 5 10 20 50 100 Number of Cycles 图4：反向电流曲线 FIG4:Typical Reverse Characteristics 100 6 4 1 IR(mA) IF(A) 图3：正向电压曲线 FIG3: Forward Voltage 0 MBSK12S~MBSK14S 2 Tj=150℃ 10 1 1 0.5 MBSK18S~MBSK110S MBSK16S Tj=25℃ Ta=25℃ 0.1 0.1 0.05 0.01 MBSK12S~MBSK14S MBSK16S MBSK18S~MBSK110S 0.02 0.001 0.01 0.4 0.5 S-S150 Rev. 1.2, 28-Apr-14 0.6 0.7 0.8 0.9 VF(V) 0 20 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 40 60 80 100 Voltage(%) www.21yangjie.com