NTE NTE5584 Silicon controlled rectifier for phase control application Datasheet

NTE5580 thru NTE5585
Silicon Controlled Rectifier
for Phase Control Applications
Features:
D Center Fired Gate
D All Diffused Design
D Low Gate Current
D Low Thermal Impedance
D High Surge
Electrical Characteristics:
Repetitive Peak Off−State and Reverse Voltage, VDRM & VRRM
NTE5580 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5582 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5584 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE5585 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Maximum RMS On−State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275A
Maximum Average On−State Current, IT(AV)
TC = +88°C, 180° conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A
TC = +80°C, 3 phase conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135A
Maximum Peak One−Cycle, Non−Repetitive Surge Current, ITSM
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3200A
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3500A
Maximum I2t for Fusing (1.5msec), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32,000A2sec
Peak On−State Voltage (TJ = +25°C, 180° conduction, Rated IT(AV)), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7V
Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14°C/W
Typical Turn−Off Time (TJ = 125°C), tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250µs
Rate−of−Rise of Turned−On Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C
Maximum Reverse Recovered Charge (TJ = +25°C), QRR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200µc
Maximum Critical Rate−of−Rise of Off−State Voltage, dV/dt
Exponential @ Max. Rated TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
Maximum Required Gate Current to Trigger, IGT
TJ = −40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
TJ = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Maximum Required Gate Voltage to Trigger (TJ = −40° to +125°C), VGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Peak On−State Voltage, VF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Note 1
Maximum Stud Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 In−Lbs (33.9 N−M)
Note 1. VF = A + B S LN(I) + C S I + D√I
Where: IMIN = 10A
IMAX = 3000A
A = .523
B = .022
C = .0005
D = .038
1.443 (36.68) Max
(Across Corners)
ÇÇÇ
ÇÇÇ
1.031 (26.18) Dia
(Ceramic)
.643 (16.35)
For No. 6 Screw
For No. 6 Screw
Cathode
.350 (8.89)
Dia Max
Gate
(White)
Cathode
(Red)
1.212 (30.8) Dia Max
3.625
(92.07)
Max
8.100
(205.74)
Max
(Terminals
1, 2, & 3)
.156 (3.96) Max
.630 (16.0)
3/4−16 UNF−2A
(Terminal 4)
Anode
1.077 (27.35) Max
Similar pages