BZT52C2V0 ... BZT52C75 BZT52C2V0 ... BZT52C75 Ptot = 500 mW VZ = 2.0 V ... 75 V Tjmax = 150°C SMD Planar Zener Diodes SMD Planar Zener-Dioden Version 2018-01-02 Typical Applications Voltage stabilization and regulators (For overvoltage protection see TVS diodes SMF series) Commercial grade 1) Features Sharp Zener voltage breakdown Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) ±0.2 RoHS Pb EE WE 1 .6±0.1 0.6 ±0.1 3.8 Type Code Typische Anwendungen Spannungsstabilisierung und -regler (Für Überspannungsschutz siehe TVS-Diodenreihe SMF) Standardausführung 1) EL V 1 .1 ±0.1 2.7±0.1 0 .1 2 SOD-123F Besonderheiten Scharfer Zenerspannungsabbruch Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Type Code: See table – siehe Tabelle Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard. Zener voltages see table on next page. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%). Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite. Andere Toleranzen oder höhere Z-Spannungen auf Anfrage. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation – Verlustleistung Ptot 500 mW 3) Junction/Storage temperature – Lagerungs-/Sperrschichttemperatur Tj/S -50...+150°C Characteristics Kennwerte Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss 120 RthA RthT < 300 K/W 3) < 240 K/W 15 [%] 5,1 [mA] 100 5,6 4,7 10 80 8,2 6,8 6,2 7,5 10 9,1 4,3 3,9 60 I Z = 5 mA 5 3,3 3,0 2,7 40 IZ 2,4 2,0 20 0 Ptot 0 3,6 0 TA 50 100 150 [°C] 0 VZ 2 3 4 5 6 7 8 10 [V] Zener Voltage vs. Zener current – Abbruchspannung über Zenerstrom Power dissipation versus ambient temperature 3) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.3) 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad an jedem Anschluss) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BZT52C2V0 ... BZT52C75 Characteristics (Tj = 25°C unless otherwise specified) Type Typ Code BZT52C... Kennwerte (Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben) Z-voltage range 1) Z-Spannungs-Bereich 1) IZ = 5 mA Dynamic resistance Diff. Widerstand rzj [Ω] at f = 1 kHz Temp. Coefficient of Z-voltage …der Z-Spannung Reverse voltage Sperrspannung VR at/bei IR Z-current 2) Z-Strom 2) TA = 25°C VZ min [V] VZ max [V] IZ = 5 mA αVZ [10-4 /°C] VR [V] IR [µA] IZmax [mA] 4A 1.8 2.2 < 100 -9...-6 0.5 120 227 2V4 4C 2.2 2.6 < 100 -9...-6 1 120 192 2V7 4D 2.5 2.9 < 110 -9...-6 1 120 172 3V0 4E 2.8 3.2 < 120 -8...-5 1 50 156 3V3 4F 3.1 3.5 < 130 -8...-5 1 20 143 3V6 4H 3.4 3.8 < 130 -8...-5 1 10 132 3V9 4J 3.6 4.2 < 130 -8...-5 1 5 119 4V3 4K 4.0 4.6 < 130 -6...-3 1 5 109 4V7 4M 4.4 5.0 < 130 -5...+2 1 2 100 5V1 4N 4.8 5.4 < 130 -2...+2 1.5 2 93 5V6 4P 5.2 6.0 < 80 -5...+5 2.5 1 83 6V2 4R 5.8 6.6 < 50 -3...+6 3 1 76 6V8 4X 6.4 7.2 < 30 +3...+7 3.5 0.5 69 7V5 4Y 7.0 7.9 < 30 +3...+7 4 0.5 63 8V2 4Z 7.7 8.7 < 30 +8...+7 5 0.5 57 9V1 5A 8.5 9.6 < 30 +3...+9 6 0.5 52 10 5B 9.4 10.6 < 30 +3...+10 7 0.1 47 11 5C 10.4 11.6 < 30 +3...+11 8 0.1 43 12 5D 11.4 12.7 < 35 +3...+11 9 0.1 39 13 5E 12.4 14.1 < 35 +3...+11 10 0.1 35 15 5F 13.8 15.6 < 40 +3...+11 11 0.1 32 16 5H 15.3 17.1 < 40 +3...+11 12 0.1 29 18 5J 16.8 19.1 < 45 +3...+11 13 0.1 26 20 5K 18.8 21.2 < 50 +3...+11 15 0.1 24 22 5M 20.8 23.3 < 55 +4...+12 17 0.1 21 24 5N 22.8 25.6 < 60 +4...+12 19 0.1 20 27 5P 25.1 28.9 < 70 +4...+12 21 0.1 17 30 5R 28 32 < 80 +4...+12 23 0.1 16 33 5X 31 35 < 80 +4...+12 25 0.1 14 5Y 34 < 90 +4...+12 27 0.1 13 2V0 36 IZ = 38 2.5 mA 2 mA 39 5Z 37 41 < 100 +4...+12 30 2 12 43 6A 40 46 < 130 +4...+12 33 2 11 47 6B 44 50 < 150 +4...+12 36 2 10 51 6C 48 54 < 180 +4...+12 39 1 9 56 6D 52 60 < 180 +4...+12 43 1 8 62 6E 58 66 < 200 +4...+12 47 0.2 8 68 6F 64 72 < 250 +4...+12 52 0.2 7 75 6H 70 79 < 300 +4...+12 57 0.2 6 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses (20 ms) – Gemessen mit Impulsen (20 ms) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Lötpad je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG