FE6A ... FE6G FE6A ... FE6G Superfast Switching Silicon-Rectifiers Superschnelle Silizium-Gleichrichter Version 2005-11-08 Nominal current Nennstrom ±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Type 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse 7,5 ±0.1 62.5 ±0.5 Ø8 6A Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 1.2 ±0.05 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF at/bei IF = 5 A FE6A 50 50 < 0.95 FE6B 100 100 < 0.95 FE6D 200 200 < 0.95 FE6F 300 300 < 0.95 FE6G 400 400 < 1.25 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 25°C IFAV 6 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 50 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 200/220 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 200 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FE6A ... FE6G Characteristics Kennwerte Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A VR = VRRM IR < 5 µA trr < 50 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 20 K/W 1) Thermal resistance junction to lead Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 6 K/W 102 120 [%] FE6A...F [A] 100 FE6G 10 80 Tj = 125°C 1 60 40 Tj = 25°C -1 10 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 200a-(5a-0.95/1.25v) -2 10 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG