FR1A ... FR1M FR1A ... FR1M Fast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2013-10-14 Nominal current – Nennstrom ± 0.2 ± 0.2 2.2 ± 0.3 0.15 ~ SMA ~ DO-214AC Weight approx. – Gewicht ca. ±0.1 Type Typ 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 0.07 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 1.5 2.7± 0.2 1 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 2.1± 0.2 5 Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 4.5± 0.3 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Rep. peak reverse voltage Period. Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) FR1A 50 50 < 150 FR1B 100 100 < 150 FR1D 200 200 < 150 FR1G 400 400 < 150 FR1J 600 600 < 250 FR1K 800 800 < 500 FR1M 1000 1000 < 500 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30/32 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FR1A ... FR1M Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.3 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 200 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 70 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 30 K/W 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] 10-2 0.4 Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 30a-(1a-1.3v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG