Symbol LED 5 mm × 2.5 mm, Partly Diffused LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Besondere Merkmale eingefärbtes, teildiffuses Gehäuse als optischer Indikator in Frontplatte einsetzbar Lötspieße ohne Aufsetzebene Bargraphanzeige gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06719 ● ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● colored, partly diffused package for use as optical indicator in frontpanel solder leads without stand-off Bargraph displays available taped on reel load dump resistance acc. to DIN 40839 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code LR B480-BD LR B480-C LR B480-D LR B480-CE red red, partly diffused 0.16 0.25 0.40 0.25 … … … … 0.80 0.50 0.80 1.25 Q62703-Q1464 Q62703-Q1465 Q62703-Q2648 Q62703-Q3841 LS B480-EH LS B480-G LS B480-H LS B480-GK super-red red, partly diffused 0.63 1.60 2.50 1.60 … 5.00 … 3.20 … 5.00 … 12.50 Q62703-Q1466 Q62703-Q1467 Q62703-Q1468 Q62703-Q1469 LY B480-EH LY B480-G LY B480-H LY B480-J LY B480-GK yellow yellow, partly diffused 0.63 1.60 2.50 4.00 1.60 … 5.00 … 3.20 … 5.00 … 8.00 … 12.50 Q62703-Q1470 Q62703-Q1471 Q62703-Q2006 Q62703-Q1473 Q62703-Q2007 LG B480-EH LG B480-G LG B480-H LG B480-GK green green, partly diffused 0.63 1.60 2.50 1.60 … 5.00 … 3.20 … 5.00 … 12.50 Q62703-Q1477 Q62703-Q1870 Q62703-Q2025 Q62703-Q2026 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 11.96 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values LR Einheit Unit LS, LY, LG Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA Semiconductor Group 2 45 100 40 140 400 mA mW K/W LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LR LS LY LG Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 660 635 586 565 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 645 628 590 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 35 45 45 25 nm 2ϕ 100 100 100 100 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) VF (max.) VF 1.6 2.0 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 µA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group (typ.) C0 25 12 10 15 pF (typ.) tr (typ.) tf 120 50 300 150 300 150 450 200 ns ns 3 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LS, LY, LG Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LR Semiconductor Group 5 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Semiconductor Group 6 LR B480, LS B480, LY B480 LG B480 Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06719 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Semiconductor Group Kürzerer Lötspieß Short solder lead 7