RoHS ES1A THRU ES1J 超快恢复整流二极管 ■特征 Super Fast Recovery Rectifier Diode ■外形尺寸和印记 Features ● Io 1.0A ● VRRM 50V-600V ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge current capability ● 封装：模压塑料 Cases: Molded plastic ● 采用GPP工艺芯片 Glass passivated chip ■用途 COMPLIANT Outline Dimensions and Mark DO-214AC(SMA) .062(1.58) .049(1.25) Mounting Pad Layout .111(2.83) .094(2.40) 0.065 (1.66) .187(4.75) .167(4.25) 0.080 (2.04) 0.077(1.96) .091(2.30) .075(1.90) .056(1.41) .030(0.76) Applications 0.220 .012(0.31) (5.58) .006(0.15) .008(0.20) .003(0.08) .208(5.28) .194(4.93) Dimensions in inches and (millimeters) ●整流用 Rectifier ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values (Absolute Maximum Rating) 参数名称 符号 单位 测试条件 Item Symbol Unit Test Conditions VRRM V 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 正向平均电流 Average Forward Current 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature ES1 A B C 50 100 150 D F 200 300 正 弦 半 波 60Hz ， 电 阻 负 载 ， TL=120℃ 60HZ Half-sine wave, Resistance load, TL=120℃ 正弦半波60Hz， 一个周期， Ta=25℃ 60Hz Half-sine wave ,1 cycle , Ta =25℃ IF(AV) A IFSM A TJ ℃ -55~+150 TSTG ℃ -55 ~ +150 G H J 400 500 600 G H 1.0 30 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified） 符号 Symbol 单位 Unit 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 最大反向恢复时间 Maximum reverse recovery time VF V IF =1.0A trr ns IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A 35 反向漏电流 Peak Reverse Current IRRM1 Ta =25℃ 5 Ta =100℃ 100 热阻(典型) Thermal Resistance(Typical) IRRM2 μA RθJ-A ℃/W RθJ-L 测试条件 Test Condition ES1 参数名称 Item VRM=VRRM A 结和环境之间 Between junction and ambient 结和终端之间 Between junction and terminal B C D F 0.95 1.3 J 1.7 851) 351) 备注：Notes: 1) 热阻从结到环境及从结到引线，在电路板的0.2" x 0.2" (5.0毫米 x 5.0毫米)铜垫片区 Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areas S-A069 Rev.1.1,28-Apr-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com ES1A THRU ES1J ■特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 图2：最大正向浪涌冲击耐受力 FIG.2: MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD URGE CURRENT 1.2 IFSM(A) IO(A) 图1：正向电流降额曲线 FIG.1: FORWARD CURRENT DERATING CURVE 30 1.0 25 0.8 20 0.6 15 0.4 10 0.2 0 5 Resistive or Inductive Load P.C.B. Mounted on 0.2"×0.2" (5.0mm×5.0mm)Copper Pad Areas 80 90 100 110 120 130 140 0 150 TL(℃) 1 10 周波数 100 Number of Cycles 图4：典型反向特性曲线 FIG.4：TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS IR(uA) 图3: 典型正向特性曲线 FIG.3: TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS IF(A) 8.3毫秒正弦半波 8.3ms Single Half Sine Wave 100 TJ=25℃ Pulse width=300us 1% Duty Cycle 1000 Tj=150℃ ES1A-D 10 Tj=125℃ 100 Tj=100℃ ES1F-1G 1.0 10 ES1H-1J 0.1 1.0 Tj=25℃ 0.01 0.4 0.6 0.8 1.0 1.4 1.2 1.6 VF(V) 0.1 0 20 40 60 80 100 Voltage(%) 图 5: 反向恢复时间试验电路及测试波形示意图 FIG.5: Diagram of circuit and Testing wave form of reverse recovery time I D trr IF VR IF RL t 0 IRR IR S-A069 Rev.1.1,28-Apr-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com