BC846S ... BC849S BC846S ... BC849S IC = 100 mA hFE ~ 290 Tjmax = 150°C SMD General Purpose Dual NPN Transistors SMD Universal-NPN-Doppeltransistoren VCEO = 30...65 V Ptot = 250 mW Version 2016-04-13 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) 2 ±0.1 2 x 0.65 0.9±0.1 5 2 2.1 Type Code 1 1.25±0.1 4 ±0.1 6 3 6 5 4 T2 T1 Features Two transistors in one package General Purpose Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Zwei Transistoren in einem Gehäuse Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Pb Konfliktmineralien 1 RoHS EE WE 2.4 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. 1 2 3 T1: E1 = 1, C1 = 6, B1 = 2 T2: E2 = 4, C2 = 3, B2 = 5 EL V SOT-363 Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) Per transistor – pro Transistor BC846S BC847S BC848S BC849S Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 2) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Junction/Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur Tj/S -55...+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) per transistor – pro Transistor Min. Typ. Max. hFE 200 – 450 VCEsat VCEsat – – – – 250 mV 650 mV VBE VBE 580 mV – – – 700 mV 770 mV DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 5 V, IC = 2 mA 3 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 3) VCE = 5 V, IC = 2 mA VCE = 5 V, IC = 10 mA 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC846S ... BC849S Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) per transistor – pro Transistor Min. Typ. Max. ICBO – – 15 nA IEBO – – 100 nA fT 100 MHz – – CCBO – – 4.5 pF Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 30 V, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 5 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren < 420 K/W 1) BC856S ... BC859S 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG