ESD3Z5V0, ESD3Z12 ESD3Z5V0, ESD3Z12 PPPM = 350 W Tjmax = 125°C ESD Protection Diodes in SMD ESD-Schutzdioden in SMD VWM = 5 V, 12 V VBRmin = 6 V, 13.3 V VPP = ± 30 kV Version 2018-03-23 Typical Applications ESD protection Data line and I/O port protection Commercial grade 1) 2.5 ±0.2 Dimensions - Maße [mm] Type Code see next page Type Code siehe nächste Seite Features Low junction capacitance Low leakage current Miniature case outline Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE Type Code 1.25±0.1 0.3±0.1 1 ±0.1 1.7±0.1 Typische Anwendungen ESD-Schutz Schutz von Datenleitungen und Ein-/Ausgängen Standardausführung 1) EL V SOD-323F Besonderheiten Niedrige Sperrschicht-Kapazität Niedriger Sperrstrom Miniatur-Gehäusebauform Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled Weight approx. Mechanische Daten 1) 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle 0.005 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls) PPPM 350 W 3) Peak pulse power current (8/20 µs waveform) Impuls-Strom (8/20 µs Impuls) IPPM 24 A 3) VPP ± 30 kV Tj TS -50...+125°C -50...+150°C ESD immunity (HBM, air discharge) ESD-Festigkeit (HBM, Luftentladung) IEC 61000-4-2 Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics Junction capacitance Sperrschichtkapazität Kennwerte VR = 0 V, f = 1 MHz ESD3Z5V0 ESD3Z12 Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung 1 2 3 4 CT < 350 pF < 150 pF RthA < 400 K/W 4) Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ESD3Z5V0, ESD3Z12 Type Typ Type Code Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Breakdown voltage Abbruch-Spannung at / bei IT = 1 mA Max. clamping voltage Max. Begrenzer-Spannung at / bei IPPM (8/20 µs) VWM [V] ID [µA] VBRmin [V] VBRtyp [V] VBRmax [V] VC [V] IPPM [A] VC [V] IPPM [A] ESD3Z5V0 5- 5.0 10 6 6.6 8.8 9.8 5 14.5 24 ESD3Z12 12- 12 1 13.3 - - 19 5 25 15 120 [%] tr = 8 µs 100 100 [%] 80 80 60 60 40 40 IPP IPP 20 20 PPP PPP 0 0 0 TA 100 50 150 [°C] IPPM/2 PPPM/2 tP 0 t 20 40 60 [µs] 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform 1 Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1) 10 [kW] 1 0.1 PPP 0.01 0.1µs tP 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) 1 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG