BAS216WT BAS216WT SMD Small Signal Diodes SMD Kleinsignal-Dioden IFAV = 250 mA VF1 < 0.715 V Tjmax = 150°C VRRM = 85 V IFSM1 = 4 A trr < 4 ns Version 2017-04-20 Typical Applications Signal processing, High-speed Switching, Rectifying Commercial grade 1) 0.12 0.35 Type Code 1.6 Dimensions - Maße [mm] Type code = A Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 0.8 0.7 1.2 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Gleichrichten Standardausführung 1) EL V SOD-523 Mechanical Data 1) Taped and reeled Weight approx. Mechanische Daten 1) 4000 / 7“ Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 These diodes are available in alternative case outlines Diese Dioden sind auch in alternativen Gehäuseformen lieferbar SOT-23 = BAS16 SOT-323 = BAS16W SOT-363 = BAS16DW Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation Verlustleistung Ptot 150 mW 3) Max. average forward current Dauergrenzstrom DC IFAV 250 mA 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Flussrichtung tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs IFSM 0.5 A 4A VRRM 85 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS216WT Characteristics Kennwerte Forward voltage ) Durchlass-Spannung 1) Tj = 25°C IF = IF = IF = IF = Tj = 25°C Tj = 150°C 1 Leakage current Sperrstrom Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazität 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V VR = 75 V IR < 1 µA VR = 25 V VR = 75 V IR < 30 µA < 50 µA CT 1.5 pF trr < 4 ns VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 620 K/W 2) 1 120 [%] [A] 100 -1 10 80 Tj = 125°C -2 10 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 -4 0 TA 50 100 150 10 [°C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG