GSME GMBTA06 Npn low frequency amplifier transistor Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBTA06
■FEATURES
特點
NPN Low Frequency Amplifier Transistor
■MAXIMUM
RATINGS 最大額定值(Ta=25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Base voltage
集電極-基極電壓
VCBO
80
Vdc
-Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
80
Vdc
Emitter-Base voltage
發射極-基極電壓
VEBO
4.0
Vdc
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
Ic
500
mAdc
Base-Current
基極電流
IB
50
mAdc
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
PC
300
mW
Junction Temperature
結溫
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
儲存溫度
Tstg
-55〜150
℃
■DEVICE
MARKING 打標
GMBTA06(MMBTA06)=1GM
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBTA06
■ELECTRICAL CHARACRTERISTICS
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Test Condition
測試條件
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB=80V,IE=0
—
—
0.1
μA
Collector Emitter Current
集電極發射極電流
ICES
VCE=60V, VBE=0
—
—
0.1
μA
V(BR)CBO
IC=100μA
80
—
—
V
V(BR)CEO
IC=1.0mA
80
—
—
V
V(BR)EBO
IE=100μA
4
—
—
V
hFE(1)
VCE=1V,IC=10mA
100
—
—
Collect-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Collect-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極電壓
Transition Frequency
特徵頻率
Min.
Typ.
Max. Unit
最小值 典型值 最大值 單位
—
hFE(2)
VCE=1V,IC=100mA
100
—
—
VCE(sat)
IC=100mA,
IB=10mA
—
—
0.25
V
VBE(sat)
IC=100mA,
IB=10mA
—
—
1.2
V
VBE
VCE=1V,IC=100mA
—
—
1.2
V
fT
VCE=2V,IC=10mA
100
—
—
MHz
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