Siemens BPX43-5 Npn-silizium-fototransistor silicon npn phototransistor Datasheet

BPX 43
BPX 43
fmof6019
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
● Especially suitable for applications from
Bereich von 450 nm bis 1100 nm
● Hohe Linearität
● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C
● Gruppiert lieferbar
450 nm to 1100 nm
● High linearity
● Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection suitable up to 125 °C
● Available in groups
Anwendungen
Applications
● Lichtschranken für Gleich- und
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX43
Q62702-P16
BPX 43-2
Q62702-P16-S2
BPX 43-3
Q62702-P16-S3
BPX 43-4
Q62702-P16-S4
BPX 43-5
Q 62702-P16-S5
Semiconductor Group
223
10.95
BPX 43
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 55 ... + 125
°C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
TS
260
°C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
TS
300
°C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
VCE
50
V
Kollektorstrom
Collector current
IC
50
mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
ICS
200
mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
VEB
7
V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Ptot
220
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
RthJA
450
K/W
Semiconductor Group
224
BPX 43
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
880
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ
450 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.675
mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L×B
L×W
1×1
mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
2.4 ... 3.0
mm
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 15
Grad
deg.
IPCB
IPCB
11
35
µA
µA
CCE
CCB
CEB
23
39
47
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 25 V, E = 0
ICEO
20 (≤ 300)
nA
Semiconductor Group
225
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCB = 5 V
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
BPX 43
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
-2
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IPCE
VCE = 5 V
-3
Einheit
Unit
-4
-5
0.8 ... 1.6 1.25 ... 2.5 2.0 ... 4.0 ≥ 3.2 mA
3.8
6.0
9.5
15.0 mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
t r, t f
9
12
15
18
µs
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat
200
220
240
260
mV
Stromverstärkung
Current gain
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE
IPCB
110
170
270
430
1)
1)
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
226
BPX 43
Relative spectral sensitivity
Srel = f (λ)
Photocurrent
IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Output characteristics
IC = f (VCE), IB = Parameter
Output characteristics
IC = f (VCE), IB = Parameter
Dark current
ICEO = f (VCE), E = 0
Photocurrent
IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
Dark current
ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0
Collector-emitter capacitance
CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
Semiconductor Group
227
BPX 43
Collector-base capacitance
CCB = f (VCB), f = 1 MHz, E = 0
Emitter-base capacitance
CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Semiconductor Group
228
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