桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBAS70 S70 SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管(BA (BAS70 S70)) ▉FEATURES 特點 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Power dissipation 耗散功率 PD(Ta=25℃) 225 mW Forward Current 正向電流 IF 70 mA Reverse Voltage 反向電壓 VR 70 V Junction and Storage Temperature 結溫和儲藏溫度 ▉DEVICE MARKING 打標 S70 =BE BAS70 BA S70= -55to+150℃ TJ,Tstg ▉ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) Characteristic 特性參數 Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓 (IR=10uA) Reverse Leakage Current 反向漏電流 (VR=50V) (VR=70V) Forward Voltage(Test Condition)正向電壓 IF= 1mAdc IF= 10mAdc IF= 15mAdc Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 V(BR) 70 — V IR — 0.1 10 uA — 410 750 1000 VF mV Diode Capacitance 二極體電容 (VR=1V, f=1MHz) CD — 2 pF Reverse Recovery Time 反向恢復時間 Trr — 5 nS ▉SOT-23 内部结构 1 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBAS70 ■DIMENSION 外形封裝尺寸