MMFTN138 MMFTN138 ID = 220 mA RDS(on)1 < 3.5 Ω Tjmax = 150°C N-Channel Enhancement Mode FET N-Kanal FET – Anreicherungstyp VDS = 50 V Ptot = 360 mW Version 2017-06-26 Typical Applications Signal processing, Drivers, Logic level converter Commercial grade 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 3 1 1.3±0.1 Type Code 2 RoHS Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) 3000 / 7“ Weight approx. 2=S 3=D Dimensions - Maße [mm] Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Pb Taped and reeled 1.9±0.1 1=G Features Fast switching times Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EE WE 2.4 ±0.2 0.4 +0.1 -0.05 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Treiberstufen, Logikpegelwandler Standardausführung 1) EL V SOT-23 (TO-236) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code = JD Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMFTN138 Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDS Drain-Gate-voltage Drain-Gate-Spannung RGS < 20 kΩ Gate-Source-voltage Gate-Source-Spannung dc tP < 50 µs 50 V 50 V VDGR VGSS ± 20 V ± 40 V Ptot 360 mW ID 220 mA Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom IDM 880 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS +150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Drain current continuous – Drainstrom dc Drain Source Diode Source Current continuous – Sourcestrom dc Peak Source current – Source-Spitzenstrom IS 220 mA ISM 880 mA Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. V(BR)DSS 50 V – – IDSS – – 500 nA 100 nA Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 250 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom VDS = 50 V VDS = 30 V 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMFTN138 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. IGSS – – ± 100 nA VGS(th) 0.8 V – 1.6 V RDS(on) – – 3.5 Ω 6Ω gFS 0.12 S – – Ciss – 60 pF – Coss – 25 pF – Crss – 10 pF – td(on) – – 8 ns tr – – 12 ns td(off) – – 16 ns tf – – 22 ns VSD – – 1.4 V Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 20 V Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS, ID = 1 mA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V, ID = 220 mA VGS = 4.5 V, ID = 220 mA Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS = 10 V, ID = 220 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Turn-On Delay Time – Einschaltverzögerung VDD = 30 V, ID = 290 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω Turn-On Rise Time – Anstiegszeit VDD = 30 V, ID = 290 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung VDD = 30 V, ID = 290 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω Turn-Off Fall Time – Abfallzeit VDD = 30 V, ID = 290 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω Drain-Source Diode Forward Voltage – Drain-Source Diode Fluss-Spg. IS = 440 mA Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 350 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG