Diotec BAS70-04 Smd small signal schottky diode Datasheet

BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06
BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06
IFAV = 70 mA
VF1 < 0.41 V
Tjmax = 150°C
SMD Small Signal Schottky Diodes
SMD Kleinsignal-Schottkydioden
VRRM = 70 V
IFSM = 100 mA
trr
< 5 ns
Version 2017-07-07
Typical Applications
Signal processing, High-speed
switching, Polarity protection
Commercial grade 1)
0.4
Type
Code
1
1.3 ±0.1
2.4 ±0.2
3
2
1.9
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
+0.1
1.1 -0.2
2.9 ±0.1
+0.1
-0.05
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Verpolschutz
Standardausführung 1)
EL
V
SOT-23
(TO-236)
Mechanical Data 1)
±0.1
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
3000 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Solder & assembly conditions
Gewicht ca.
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
BAS70
BAS70-04
3
Type
Code
73
Single
Diode
1
2
3
Type
Code
74
Series
Connection
1
2
1 = A 2 = n. c. 3 = C
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
BAS70-05
BAS70-06
3
Type
Code
75
Common
Cathode
1
2
3
Type
Code
76
Common
Anode
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
1
2
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Power dissipation − Verlustleistung 3)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom
DC
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
4
tp ≤ 1 s
Ptot
200 mW 4)
IFAV
70 mA 4)
IFRM
70 mA 4)
IFSM
100 mA
VRRM
70 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 mA
IF = 15 mA
VF
VF
< 410 mV
< 1000 mV
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = 50 V
IR
< 100 nA 1)
Breakdown voltage
Abbruchspannung
Tj = 25°C
IR = 10 µA
VBR
> 70 V 1)
CT
2 pF
trr
< 5 ns
Max. junction capacitance
Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
< 625 K/W 2)
120
[%]
[A]
100
80
60
40
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Power dissipation versus ambient temperature 2)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2)
2
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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