5 mm (T1 3/4) LED, Non Diffused Super-Bright LED LS 5421, LO 5411, LY 5421 LG 5411 Besondere Merkmale eingefärbtes, klares Gehäuse als optischer Indikator bei hohem Umgebungslicht Lötspieße ohne Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 Features ● ● ● ● ● colored, clear package for use as optical indicator in bright ambient light solder leads without stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 VEX06713 ● ● ● ● ● 11.96 LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code LS 5421-NR LS 5421-Q LS 5421-R LS 5421-S LS 5421-QT super-red red clear 25 … 200 63 … 125 100 … 200 160 … 320 63 … 500 Q62703-Q1994 Q62703-Q1442 Q62703-Q1738 Q62703-Q2405 Q62703-Q1995 LO 5411-QT LO 5411-R LO 5411-S LO 5411-T LO 5411-RU orange colorless clear 63 … 500 100 … 200 160 … 320 250 … 500 100 … 800 Q62703-Q3928 Q62703-Q3929 Q62703-Q3930 Q62703-Q3931 Q62703-Q3932 LY 5421-NR LY 5421-Q LY 5421-R LY 5421-S LY 5421-QT yellow yellow clear 25 … 200 63 … 125 100 … 200 160 … 320 63 … 500 Q62703-Q1444 Q62703-Q1446 Q62703-Q2005 Q62703-Q2632 Q62703-Q1447 LG 5411-NR LG 5411-Q LG 5411-R LG 5411-S LG 5411-QT green colorless clear 25 … 200 63 … 125 100 … 200 160 … 320 63 … 500 Q62703-Q2023 Q62703-Q1739 Q62703-Q1451 Q62703-Q2321 Q62703-Q2024 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 40 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot 140 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 400 K/W Semiconductor Group 3 LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LY LG LO Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak Wavelength at peak emission (typ.) IF = 20 mA 635 586 565 610 nm (typ.) λdom (typ.) 628 590 570 605 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.) IF = 20 mA 45 45 25 40 nm Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV 2ϕ 20 20 20 20 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA (typ.) C0 12 10 15 8 pF (typ.) tr (typ.) tf 300 150 300 150 450 200 300 150 ns ns Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA Kapazität Capacitance VR = 0 V, ƒ = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 4 LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 6 LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 7 LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06713 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Semiconductor Group Kürzerer Lötspieß Short solder lead 8