Siemens LYE676 Power topled hyper-bright led Datasheet

Power TOPLED®
Hyper-Bright LED
LY E676
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
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Gehäusebauform: P-LCC-4
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und
Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestücktechniken geeignet
gegurtet (8 mm-Filmgurt)
JEDEC Level 3
nur IR Reflow Löten
VPL06837
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Features
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•
P-LCC-4 package
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly methods
available taped on reel (8 mm tape)
JEDEC Level 3
IR reflow soldering only
Typ
Emissionsfarbe
Type
Color of
Emission
LY E676
LY E676-T1
LY E676-T2
LY E676-U1
LY E676-U2
yellow
Farbe der
Lichtaustrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
IF = 50 mA
I V (mcd)
Luminous
Flux
IF = 50 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
250
320
400
500
900 (typ.)
1200 (typ.)
1500 (typ.)
1800 (typ.)
colorless clear
Q62703-Q3759
...
...
...
...
400
500
630
800
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 1.6.
Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 1.6.
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Semiconductor Group
1
1998-11-05
LY E676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 40 ... + 100
°C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 40 ... + 100
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 120
°C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
50
mA
Sperrspanung1)
Reverse voltage1)
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 °C
Ptot
130
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 12 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 12 mm2)
Rth JA
290
K/W
1)
1)
Werte
Values
Einheit
Unit
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
2
1998-11-05
LY E676
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
typ.
max.
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 50 mA
λpeak
594
–
nm
Dominantwellenlänge 2)
Dominant wavelength 2)
IF = 50 mA
λdom
590
–
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 50 mA
∆λ
17
–
nm
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
2ϕ
120
–
Grad
deg.
Durchlaßspannung 1)
Forward voltage 1)
IF = 50 mA
VF
2.1
2.55
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
IR
0.01
10
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 50 mA)
TCλ
t.b.d.
–
nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of λpeak (IF = 50 mA)
TCλ
t.b.d.
–
nm/K
Temperaturkoeffizient von VF (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of VF (IF = 50 mA)
TCV
t.b.d.
–
mV/K
Temperaturkoeffizient von IV (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of IV (IF = 50 mA)
TCI
t.b.d.
–
%/K
1)
V
2)
Durchlaßspannungsgruppen
Forward voltage groups
Gruppe
Group
Durchlaßspannung
Forward voltage
Einheit
Unit
min.
max.
1
1.85
2.25
V
2
2.15
2.55
V
Semiconductor Group
Wellenlängengruppen
Wavelength groups
Gruppe
Group
3
Wellenlänge
Wavelength
Einheit
Unit
min.
max.
1
585
590
nm
2
588
593
nm
3
591
596
nm
1998-11-05
LY E676
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 50 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00443
100
Ι rel
%
80
Vλ
yellow
60
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
λ
700
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
ϕ
50˚
OHL01660
1.0
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
0
90˚
100˚
1.0
0.8
Semiconductor Group
0.6
0.4
0˚
20˚
4
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
1998-11-05
LY E676
Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
OHL00444
10 2
ΙV
Ι F mA
OHL00445
10 1
Ι V (50 mA)
10 1
10 0
5
5
10 0
10 -1
5
5
10 -1
10 -2
5
5
10 -2
1.6
1.8
2.0
2.2
V
VF
10 -3 -1
10
2.4
5 10 0
5 10 1
mA 10 2
ΙF
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL00446
100
Ι F mA
80
60
40
20
0
0
20
40
Semiconductor Group
60
80 C 100
TA
5
1998-11-05
LY E676
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
3.0
2.6
2.3
2.1
2.1
1.7
0.8
0.6
A
0.9
0.7
C
C
A: Anode
C: Cathode
0.18
0.12
0.6
0.4
GPL06991
package
marking
1.1
0.5
C
3.7
3.3
3.4
3.0
(2.4)
0.1 typ
Empfehlung Lötpaddesign
Recommended Pad
Infrarot/Vapor-Phase Reflow-Lötung
Infrared Vapor-Phase Reflow-Soldering
3.3
3.3
0.4
2.6
1.85
4.2
7.5
0.5
1.1
Paddesign for
improved heat dissipation
Semiconductor Group
Lötstoplack
solder resist
6
Cu Fläche / Cu-area
= 12 mm 2 per pad
OHLP0439
Padgeometrie für
verbesserte Wärmeableitung
1998-11-05
LY E676
Gurtung
Taping
C
C
A
OHA00440
C
Semiconductor Group
7
1998-11-05
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