GBI10A ... GBI10M GBI10A ... GBI10M IFAV = 10 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C Single Phase Bridge Rectifier Einphasen-Brückengleichrichter VRRM = 50...1000 V IFSM = 180/200 A trr ~ 1500 ns Version 2017-03-23 ±0.2 1.0 10 2x7.5 2.7 ±0.2 4.6 ±0.2 0.8 Dimensions - Maße [mm] Features UL recognized, File E175067 For free-standing or heatsink assembly Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit UL-anerkannt, Liste E175067 Montage freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 2.2 11 ±0.5 20 ±0.2 Type Typ 5 ±0.2 3.6 17.5 ±0.2 ±0.2 4 ±0.2 30 Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) EL V GBI Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 500 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 7g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) GBI10A 35 50 GBI10B 70 100 GBI10D 140 200 GBI10G 280 400 GBI10J 420 600 GBI10K 560 800 GBI10M 700 1000 Max. rectified output current free standing Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend R-load C-load TA = 50°C IFAV 3.0 A 1) 2.4 A 5) Max. rectified output current with forced cooling Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit forcierter Kühlung R-load C-load TC = 100°C IFAV 10.0 A 8.0 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TA = 50°C IFRM 40 A 5) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 180 A 200 A t < 10 ms i2t 160 A2s Operating junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur Tj/S -50...+150°C Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 7 ± 10% lb.in. 0.8 ± 10% Nm Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral 1 2 3 4 1 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG GBI10A ... GBI10M Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A VF < 1.1 V 1) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 1) Cj 55 pF 1) Reverse recovery time – Sperrverzug Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Thermal resistance junction to ambient (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA < 22 K/W 2) Thermal resistance junction to case (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthC < 2.2 K/W Type Typ Rt 3) ~ _ + ~ CL 4) Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) GBI10A 0.25 20000 GBI10B 0.5 10000 GBI10D 1.0 5000 GBI10G 2.0 2500 GBI10J 3.0 1500 GBI10K 4.0 1000 GBI10M 5.5 800 103 120 [%] [A] 100 102 80 Tj = 125°C 10 60 Tj = 25°C 40 1 20 IF IFAV 0 10 225a-(5a-1.1v) -1 0 TC 50 100 150 [°C] 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 4 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG