MMBT3906 Rev.F Apr.-2017 描述 / DATA SHEET Descriptions SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. 特征 / Features 高 hFE，低 VCE(sat)。 High DC Current Gain, Low Collector to Emitter Saturation Voltage. 用途 / Applications 用于普通放大及开关。 General purpose amplifier and switching. 内部等效电路 引脚排列 / Equivalent Circuit / Pinning 3 1 2 PIN 1：Base 放大及印章代码 hFE Range PIN 2：Emitter PIN 3：Collector / hFE Classifications & Marking 100～300 Marking http://www.fsbrec.com H2A 1/7 MMBT3906 Rev.F Apr.-2017 极限参数 / DATA SHEET Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数 Parameter 符号 Symbol Collector to Base Voltage VCBO 数值 Rating -40 Collector to Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter to Base Voltage VEBO -5.0 V Collector Current IC -200 mA Collector Power Dissipation PC 300 mW Junction Temperature Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ Storage Temperature Range 电性能参数 单位 Unit V / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter Collector to Base Breakdown Voltage Collector to Emitter Breakdown Voltage Emitter to Base Breakdown Voltage 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit VCBO IC=-10μA IE=0 -40 V VCEO IC=-1.0mA IB=0 -40 V VEBO IE=-10μA IC=0 -5.0 V Collector Cut-Off Current ICBO VCB=-30V IE=0 -0.05 μA Emitter Cut-Off Current IEBO VEB=-3.0V IC=0 μA hFE(1) VCE=-1.0V IC=-10mA 100 -0.05 300 hFE(2) VCE=-1.0V IC=-100mA 30 hFE(3) VCE=-1.0V IC=-50mA 60 hFE(4) VCE= -1.0V IC=-1.0mA 80 hFE(5) VCE=-1.0V IC=-0.1mA 60 VCE(sat) (1) IC=-10mA IB=-1.0mA -0.25 V VCE(sat) (2) IC=-50mA IB=-5.0mA -0.4 V VBE(sat) (1) IC=-10mA IB=-1.0mA -0.85 V VBE(sat) (2) IC=-50mA IB=-5.0mA -0.95 V fT VCE=-20V f=100MHz IC=-10mA DC Current Gain Collector-Emitter Saturation voltage Base-Emitter Saturation Voltage Transition Frequency http://www.fsbrec.com -0.65 250 MHz 2/7 MMBT3906 Rev.F Apr.-2017 电性能参数 DATA SHEET / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter Output Capacitance Storage Time 符号 Symbol Cob tstg Fall Time tf Delay Time td Rise Time tr Input Capacitance http://www.fsbrec.com Cib 测试条件 Test Conditions VCB=-5.0V f=1.0MHz VCC=-3.0V IC=-10mA IB1=-IB2=-1.0mA VCC=-3.0V IC=-10mA IB1=-IB2=-1.0mA VCC=-3.0V VBE=-0.5V IB1=-1.0mA IC=-10mA VCC=-3.0V VBE=-0.5V IB1=-1.0mA IC=-10mA f=1.0MHz VEB=-0.5V 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit 4.5 pF 225 ns 75 ns 35 ns 35 ns 10 pF 3/7 MMBT3906 Rev.F Apr.-2017 电参数曲线图 DATA SHEET / Electrical Characteristic Curve http://www.fsbrec.com 4/7 MMBT3906 Rev.F Apr.-2017 外形尺寸图 DATA SHEET / Package Dimensions http://www.fsbrec.com 5/7 MMBT3906 Rev.F Apr.-2017 印章说明 / DATA SHEET Marking Instructions H2A 说明： H： 为公司代码 2A： 为型号代码 Note: H： Company Code 2A： Product Type Code http://www.fsbrec.com 6/7 MMBT3906 Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET 回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free) 说明： Note: 1、预热温度 25～150℃，时间 60～90sec; 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec. 2、峰值温度 245±5℃，时间持续为 5±0.5sec; 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec. 3、焊接制程冷却速度为 2～10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec. 耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions 温度：260±5℃ 包装规格 Time:10±1 sec / REEL Package Type 封装形式 使用说明 Temp.:260±5℃ / Packaging SPEC. 卷盘包装 SOT-23 时间：10±1 sec. Units 包装数量 Dimension Units/Reel 只/卷盘 Reels/Inner Box 卷盘/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 3,000 10 30,000 6 180,000 包装尺寸 3 (unit：mm ) Reel Inner Box 盒 Outer Box 箱 7〞×8 180×120×180 390×385×205 / Notices http://www.fsbrec.com 7/7