BY4 ... BY16 BY4 ... BY16 High Voltage Silicon Rectifier Diodes Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden Version 2013-04-03 Nominal current Nennstrom 7.3±0.3 0.3 A ... 1 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 4000...16000 V 66+4.0 22 ±0.5 Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 7.3 x 22 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.9 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 1.2±0.05 Standard packaging taped in Reel Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Rep. peak reverse volt. Surge peak reverse volt. Max. forward current Period. Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspg. Dauergrenzstrom VRRM [V] VRSM [V] IFAV [A] 1) Forward volt. Durchlass-Spg. VF [V] 2) BY4 4000 4000 1.0 < 4.0 BY6 6000 6000 1.0 < 6.0 BY8 8000 8000 0.5 < 8.0 BY12 12000 12000 0.5 < 10.0 BY16 16000 16000 0.3 < 15.0 Leakage Current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 25 K/W 1) 1 2 < 1 µA < 25 µA 30 A Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden At / Bei IFAV,Tj = 25°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BY4 ... BY16 120 10 [%] 100 [A] 80 1 BY4 BY6 BY8 BY12 BY16 60 -1 40 10 20 IF IFAV 0 0 TA 100 50 150 10-2 [°C] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 102 [A] 10 BY4...BY6 îF BY16 1 1 2 10 10 BY8...BY12 [n] 3 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 100 [µA] 10 1 IR 0.1 0 Tj 50 100 [°C] 150 Leakage current vs. junction temp. (typ. values) Sperrstrom in Abh. v.d. Sperrschichttemp. (typ.) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG