Diotec BAS16W Smd small signal diode Datasheet

BAS16W, BAW56W, BAV70W, BAV99W
BAS16W, BAW56W, BAV70W, BAV99W
IFAV = 150 mA
VF1 < 0.715 V
Tjmax = 150°C
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
VRRM = 85 V
IFSM1 = 2 A
trr
< 4 ns
Version 2018-01-23
Typical Applications
Signal processing, High-speed
Switching, Rectifying
Commercial grade 1)
2±0.1
0.3
1±0.1
±0.1
2.1
2
Mechanische Daten 1)
3000 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
RoHS
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
1.3
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Pb
EE
WE
Type
Code
1
1.25±0.1
3
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
EL
V
SOT-323
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung 1)
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
BAS16W
BAV70W
3
Single
Diode
1
2
Type
Code
A6
3
Type
Code
PH
Common
Cathode
1
2
1 = A 2 = n. c. 3 = C
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
BAW56W
BAV99W
3
Common
Anode
1
2
Type
Code
YX
3
Type
Code
A7
Series
Connection
1
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
2
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil)
Ptot
200 mW 3)
Maximum average forward current
Dauergrenzstrom
IFAV
150 mA 3)
100 mA 3)
IFRM
300 mA 3)
IFSM
0.5 A
1A
2A
single diode loaded – eine Diode belastet
both diodes loaded – beide Dioden belastet
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
BAS16, BAW56, BAV99
BAV70
VRRM
85 V
100 V
Reverse voltage – Sperrspannung
DC
VR
75 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS16W, BAW56W, BAV70W, BAV99W
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1
)
Leakage current
Sperrstrom
1
)
Tj = 25°C
1 mA
10 mA
IF =
50 mA
150 mA
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Tj = 25°C
VR =
25 V
IR
< 30 nA
VR =
75 V
IR
< 1.0 µA
< 2.5 µA
VR =
25 V
75 V
IR
< 30 µA
< 50 µA
VR =
25 V
75 V
IR
< 60 µA
< 100 µA
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
< 2 pF
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 4 ns
BAS16, BAW56, BAV99
BAV70
Tj = 150°C
BAS16, BAW56, BAV99
BAV70
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
< 400 K/W 2)
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
10-2
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
10-4
[°C]
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Power dissipation versus ambient temperature 2)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal
Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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