BAS16W, BAW56W, BAV70W, BAV99W BAS16W, BAW56W, BAV70W, BAV99W IFAV = 150 mA VF1 < 0.715 V Tjmax = 150°C SMD Small Signal Diodes SMD Kleinsignal-Dioden VRRM = 85 V IFSM1 = 2 A trr < 4 ns Version 2018-01-23 Typical Applications Signal processing, High-speed Switching, Rectifying Commercial grade 1) 2±0.1 0.3 1±0.1 ±0.1 2.1 2 Mechanische Daten 1) 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] RoHS Mechanical Data 1) Taped and reeled 1.3 Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Pb EE WE Type Code 1 1.25±0.1 3 Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EL V SOT-323 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Gleichrichten Standardausführung 1) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS16W BAV70W 3 Single Diode 1 2 Type Code A6 3 Type Code PH Common Cathode 1 2 1 = A 2 = n. c. 3 = C 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 BAW56W BAV99W 3 Common Anode 1 2 Type Code YX 3 Type Code A7 Series Connection 1 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 2 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil) Ptot 200 mW 3) Maximum average forward current Dauergrenzstrom IFAV 150 mA 3) 100 mA 3) IFRM 300 mA 3) IFSM 0.5 A 1A 2A single diode loaded – eine Diode belastet both diodes loaded – beide Dioden belastet Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung BAS16, BAW56, BAV99 BAV70 VRRM 85 V 100 V Reverse voltage – Sperrspannung DC VR 75 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS16W, BAW56W, BAV70W, BAV99W Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung 1 ) Leakage current Sperrstrom 1 ) Tj = 25°C 1 mA 10 mA IF = 50 mA 150 mA VF < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V Tj = 25°C VR = 25 V IR < 30 nA VR = 75 V IR < 1.0 µA < 2.5 µA VR = 25 V 75 V IR < 30 µA < 50 µA VR = 25 V 75 V IR < 60 µA < 100 µA VR = 0 V, f = 1 MHz CT < 2 pF IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns BAS16, BAW56, BAV99 BAV70 Tj = 150°C BAS16, BAW56, BAV99 BAV70 Junction capacitance – Sperrschichtkapazität Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 400 K/W 2) 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 10-2 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 10-4 [°C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG