SANYO SOP8501

SOP8501
注文コード No. N 8 0 0 7
PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ
NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ
SOP8501
高耐圧ドライバ用
特長
・高耐圧である。(VCEO ≧400V)
・hFE のリニアリティーが優れている。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
条件
PNP
NPN
unit
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
VCBO
VCEO
− 400
− 400
400
400
V
V
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
VEBO
IC
−5
−1
5
0.2
V
A
コレクタ電流(パルス)
ICP
−2
0.4
A
PC
コレクタ損失
PT
接合部温度
Tj
保存周囲温度
Tstg
セラミック基板
(2000mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
セラミック基板
(2000mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
1.3
W
1.6
W
150
℃
− 55 ∼+ 150
℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
typ
min
max
unit
[PNP]
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
ICBO
IEBO
VCB= − 300V, IE=0
VEB= − 4V, IC=0
直流電流増幅率
利得帯域幅積
hFE
fT
VCE= − 10V, IC= − 100mA
VCE= − 10V, IC= − 50mA
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
VBE(sat)
IC= − 200mA, IB= − 20mA
IC= − 200mA, IB= − 20mA
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
V(BR)CBO
V(BR)CEO
IC= − 10µA, IE=0
IC= − 1mA, RBE=∞
エミッタ・ベース降伏電圧
出力容量
V(BR)EBO
Cob
IE= − 10µA, IC=0
VCB= − 30V, f=1MHz
ターンオン時間
蓄積時間
ton
tstg
tf
下降時間
− 1.0
− 1.0
40
µA
µA
200
50
MHz
− 1.0
− 1.0
− 400
− 400
V
V
V
V
−5
12
V
pF
指定測定回路において
指定測定回路において
0.25
3.0
µs
µs
指定測定回路において
0.3
µs
次ページへ続く。
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
D2004CB TS IM ◎川浦 TB-00000396 No.8007-1/5
SOP8501
前ページより続く。
項目
記号
定格値
条件
min
typ
unit
max
[NPN]
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
ICBO
IEBO
VCB=300V, IE=0
VEB=4V, IC=0
1.0
1.0
直流電流増幅率
利得帯域幅積
hFE
fT
VCE=10V, IC=50mA
VCE=30V, IC=10mA
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
VBE(sat)
IC=50mA, IB=5mA
IC=50mA, IB=5mA
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
V(BR)CBO
V(BR)CEO
IC=10µA, IE=0
IC=1mA, RBE=∞
エミッタ・ベース降伏電圧
出力容量
V(BR)EBO
Cob
IE=10µA, IC=0
VCB=30V, f=1MHz
帰還容量
ターンオン時間
Cre
ton
VCB=30V, f=1MHz
指定測定回路において
ターンオフ時間
toff
指定測定回路において
60
200
70
MHz
0.6
1.0
外形図
unit : mm
V
V
400
400
V
V
5
4
V
pF
3
0.25
pF
µs
5.0
µs
電気的接続図
2233
8
7
6
5
1
2
3
4
1 : Emitter1
2 : Base1
3 : Emitter2
4 : Base2
5 : Collector2
6 : Collector2
7 : Collector1
8 : Collector1
5
4
0.2
1.8max
1
6.0
4.4
0.3
8
1.27
0.43
1 : Emitter1
2 : Base1
3 : Emitter2
4 : Base2
5 : Collector2
6 : Collector2
7 : Collector1
8 : Collector1
Top view
0.1
1.5
5.0
0.595
µA
µA
SANYO : SOP8
スイッチングタイム測定回路図
(PNP)
(NPN)
INPUT
IB1
IB1
IB2
IB2
OUTPUT
RB
VR
PW=20µs
D.C.≦1%
+
50Ω
100µF
RL
+
470µF
VBE=5V
VCC= --150V
10IB1= --10IB2= IC= --200mA
IC=200mA時 RL=750Ω, RB=50Ω
INPUT
OUTPUT
RB
VR
PW=20µs
D.C.≦1%
50Ω
+
100µF
RL
+
470µF
VBE= --1V
VCC=150V
10IB1= --10IB2= IC=50mA
IC=50mA時 RL=3kΩ, RB=200Ω
No.8007-2/5
SOP8501
IC -- VBE
--1.0
[PNP]
VCE=10V
100
--25°C
60
40
20
0
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
hFE -- IC
3
--1.4
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
hFE -- IC
5
1.4
ITR04446
[NPN]
VCE=10V
3
Ta=75°C
25°C
--25°C
Ta=70°C
25°C
2
直流電流増幅率, hFE
7
0.2
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
VCE= --10V
100
0
ITR04587
[PNP]
2
5
3
2
10
7
100
--30°C
7
5
3
2
10
5
7
5
3
3
5
7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
5 7--1000 2 3
ITR04589
7 1.0
2
3
[PNP]
IC / IB=10
--1.0
°C
5
75°C
25°
C
7
= --
25
3
Ta
2
--0.1
7
5
3
5
7 --10
2
3
5
7 --100
2
コレクタ電流, IC -- mA
VBE(sat) -- IC
3
3
5 7 --1000
ITR04597
[PNP]
IC / IB=10
2
--1.0
Ta= --25°C
7
25°C
75°C
5
3
2
--0.1
7
5
3
5 7 --10
2
3
5 7--100
2
コレクタ電流, IC --
3
5 7--1000 2 3
mA
ITR04599
7 10
2
3
5
7 100
2
3
ITR04448
VCE(sat) -- IC
5
[NPN]
IC / IB=10
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
7 1.0
C
30°
Ta=70°C
2
3
5
C, -25°
7
2
10
3
5
コレクタ電流, IC -- mA
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
2
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
VCE(sat) -- IC
3
5
コレクタ電流, IC -- mA
コレクタ電流, IC -- mA
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
25°C
--30°C
80
Ta=70°C
コレクタ電流, IC -- m A
25°C
5°C
--0.4
Ta = 7
コレクタ電流, IC -- A
--0.6
--0.2
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
[NPN]
VCE= --10V
--0.8
直流電流増幅率, hFE
IC -- VBE
120
7 100
2
ITR04450
VBE(sat) -- IC
7
[NPN]
IC / IB=10
5
3
2
1.0
25°C
Ta= --30°C
7
70°C
5
3
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
コレクタ電流, IC -- mA
7 100
2
3
ITR04452
No.8007-3/5
SOP8501
SW Time -- IC
[PNP]
VCC= --150V
10IB1= --10IB2=IC
スイッチングタイム, SW Time -- µs
7
ts
tg
5
3
2
1.0
7
5
tf
3
2
to
n
0.1
5
3
2
1.0
2
3
5
7 --100
2
3
5
7--1000
コレクタ電流, IC -- mA
5
3
2
0.1
2
3
3
5
7
2
10
3
5
7
2
100
[PNP]
ITR04454
Cob -- VCB
3
VCE=--10V
5
3
コレクタ電流, IC -- mA
[PNP]
f=1MHz
2
2
100
100
出力容量, Cob -- pF
利得帯域幅積, f T -- MHz
VCC= --150V
10IB1= --10IB2=IC
ITR04595
f T -- IC
3
7
5
3
2
7
5
3
2
10
7
10
5
7
5
3
3
5
7
2
--10
3
5
7 --100
2
3
コレクタ電流, IC -- mA
1m
s
n
2
0.01
7
5
Tc=25°C
1パルス
セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時 1unit
2
0.001
0.1
1.6
µs
io
3
3
3
2
s
Tc=25°C
1パルス
2
--0.001 セラミック基板(2000mm ×0.8mm)装着時 1unit
2
3
5
7
2
3
5
7 --10 2 3 5 7--100 2 3 5 7
--0.1
--1.0
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V IT07325
PC -- Ta
[PNP / NPN]
at
7
5
m
--0.01
0.1
7
5
er
n
3
2
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5 7 100
2 3
5 7
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V IT07326
[PNP / NPN]
PT -- Ta
1.8
1.6
1.4
セ
セ
1.3
ラ
ミ
ッ
ッ
全損失, PT -- W
ク
基
1.0
ラ
1.4
ミ
1.2
板
(2
00
0m
0.8
m2
×
0.8
0.6
m
m
ク
基
1.2
板
(2
00
1.0
0m
m2
×
0.8
0.
8m
0.6
m
)装
)装
0.4
着
時
着
0.4
1u
ni
0.2
0
0
IC=0.2A
s
io
[NPN]
op
7
5
7 --100
2
ITR04593
C
at
--0.1
5
0m
er
3
D
s
op
2
ICP=0.4A
2
µs
C
s
D
3
2
0m
7 --10
ASO
7
5
3
s
500
10
5
500
m
IC= --1A
3
10
10
2
コレクタ・ベース電圧, VCB -- V
[PNP]
1m
7
5
ASO
ICP= --2A
7 --1.0
ITR04591
10
--1.0
5
コレクタ電流, IC -- A
3
2
コレクタ電流, IC -- A
tf
to
n
7
7
5
5 7 --10
[NPN]
tst
g
7
7
コレクタ損失, PC -- W
SW Time -- IC
10
スイッチングタイム, SW Time -- µs
10
時
1u
ni
0.2
t
t
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT07327
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT07328
No.8007-4/5
SOP8501
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PS No.8007-5/5