JSMC 3DD4127DM-O-M-N-C

NPN 型中压功率开关晶体管
MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD4127DM、3DD4127DZ
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
IC
5A
VCEO
200V
PC(D4127DM)
40W
PC(D4127DZ)
75W
用途
APPLICATIONS
z
z
z
z
z Energy-saving ligh
节能灯
电子镇流器
电子变压器
一般功率放大电路
封装 Package
z Electronic ballasts
z Electronic transformer
z Commonly
power
amplifier
circuit
D4127DZ
D4127DM
产品特性
FEATURES
z 中耐压
z Middling
z 高电流容量
z 高开关速度
z 高可靠性
z 环保(RoHS)产品
voltage
z High current capability
z High switching speed
z High reliability
z RoHS product
breakdown
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
Order codes
Marking
Halogen Free
3DD4127DM-O-M-N-C
4127DM
否
3DD4127DZ-O-Z-N-C
D4127DZ
否
版本:200910C
记
无卤素
封
装
包
装
Package
Packaging
NO
TO-126
袋装 Bag
NO
TO-220
袋装 Bag
1/6
3DD4127DM、3DD4127DZ
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
Parameter
符 号
Symbol
数 值
Value
单 位
Unit
集电极—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage(VBE=0) VCES
350
V
集电极—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage(IB=0)
VCEO
200
V
发射极—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
7
V
最大集电极直流电流
Collector Current(DC)
IC
5
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current(pulse)
ICP
10
A
最大基极直流电流
Base Current(DC)
IB
2
A
最大基极脉冲电流
Base Current(pulse)
IBP
4
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (D4127DM)
PC
40
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (D4127DZ)
PC
75
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
注:pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。
Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项
目
测试条件
Tests conditions
Parameter
最小值
Value(min)
典型值
最大值
Value(typ) Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
200
-
-
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IB=0
350
-
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
7
-
-
V
ICBO
VCB=350V, IE=0
-
-
100
μA
ICEO
VCE=200V,IB=0
-
-
50
μA
IEBO
VEB=7V, IC=0
-
-
10
μA
Hfe(1)
VCE =5V,
IC=0.5A
8
-
50
Hfe(2)
VCE =5V,
IC=3A
5
-
-
VCE(sat)(1)
IC=1A,
IB=0.2A
-
-
0.8
V
VCE(sat)(2)
IC=3A,
IB=0.6A
-
-
1.6
V
VBE(sat)
IC=2A,
IB=0. 5A
-
-
1.5
V
-
-
0.7
μS
-
-
4
μS
4
-
-
MHz
符 号
Symbol
最小值
最大值
单 位
Unit
tf
ts
fT
VCC=24V
IC=0.5A,IB1=-IB2=0.1A
VCE=10V, IC=0.5A
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
Value(min) Value(max)
结到管壳的热阻 D4127DM
Thermal Resistance Junction Case D4127DM
Rth(j-c)
-
3.125
℃/W
结到管壳的热阻 D4127DZ
Thermal Resistance Junction Case D4127DZ
Rth(j-c)
-
1.67
℃/W
版本:200910C
2/6
3DD4127DM、3DD4127DZ
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
VBE(sat)- IC
VBEsat
hFE
hFE – IC
PC-TC
POWER DERATING FACTOR
VCEsat
VCE(sat)- IC
IC(A),
SOA
VCE (V)
版本:200910C
3/6
3DD4127DM、3DD4127DZ
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
单位 Unit :mm
TO-126
A
E
D
Q
φP
L2
B
L
Q1
C
1
2
e
版本:200910C
3
b
符号
symbol
MIN
MAX
A
2.50
2.90
B
1.22
1.28
C
0.30
0.70
D
10.50
11.10
E
7.10
8.10
Q
3.80
4.20
Q1
1.07
1.47
L
15.35
15.60
L2
2.10
2.30
b
0.60
0.90
e
2.19
2.39
e
4/6
3DD4127DM、3DD4127DZ
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
单位 Unit :mm
TO-220
A
E
F
D2
D
Q
φP
L2
B
Q1
c
L
b
c1
e
MIN
MAX
A
4.40
4.80
B
1.10
1.40
b
0.70
0.95
c
c1
0.28
0.32
0.48
0.52
D
14.45
16.00
D2
8.20
9.20
E
e
9.60
2.39
10.40
2.69
F
1.20
1.35
L
13.05
14.05
L2
3.70
3.90
Q
2.40
3.00
Q1
2.20
2.90
P
3.50
4.00
A
e
符号
symbol
版本:200910C
5/6
3DD4127DM、3DD4127DZ
R
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为
直销和销售代理,无论哪种方式,订货时请
与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司
本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额
定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知。
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product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
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2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
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CONTACT
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
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传真:86-432-64665812
网址:www.hwdz.com.cn
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86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
市场营销部
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
邮编:132013
电话: 86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期 Date
旧版本 Last Rev.
2009-10-23
版本:200910C
200905B
新版本 New Rev.
200910C
修订内容 Description of Changes
电话、传真号码升位
6/6