肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE R HBR20200S 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IF(AV) 20（2×10）A VRRM 200 V Tj 175 ℃ VF(max) 0.80V （@Tj=125℃） 封装 Package TO-3PB 用途 APPLICATIONS z High frequency switch z 高频开关电源 power supply z 低压续流电路和保护电 z Free wheeling diodes, 路 polarity protection applications 产品特性 FEATURES z 共阴结构 z 低功耗，高效率 z 良好的高温特性 z 有过压保护环，高可靠性 z 环保（RoHS）产品 z Common cathode structure z Low power loss, high efficiency z High Operating Junction Temperature z Guard ring for overvoltage protection，High reliability z RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 印 Order codes Marking Package Halogen Free Packaging Device Weight HBR20200SAB HBR20200S TO-3PB 否 NO 条管 Tube 5.20 g(typ) HBR20200SABR HBR20200S TO-3PB 是 YES 条管 Tube 5.20 g(typ) 版本(Rev.)：201003A 记 封 装 无卤素 包 装 器件重量 1/5 HBR20200S R ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 绝对最大额定值 项 符 目 Parameter 号 数 值 单 位 Symbol Value Unit 最大反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage VRRM 200 V 最大直流阻断电压 Maximum DC blocking voltage VDC 200 V 正向平均整流电流 Average forward current TC=150℃ (TO-3PB) 整个器件 per device 20 IF(AV) A 单 侧 per diode 10 正向峰值浪涌电流 Surge non repetitive forward current （额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法） 8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method) 最高结温 Maximum junction temperature 储存温度 Storage temperature range IFSM 120 A Tj 175 ℃ TSTG -40~+150 ℃ 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter IR VF 测试条件 最小值 Tests conditions Tj =25℃ Tj =125℃ Tj =25℃ Tj =125℃ 典型值 最大值 Value(min) Value(typ) Value(max) Unit 10 μA 6 mA 0.88 0.95 V 0.75 0.80 V VR=VRRM IF=10A 单位 热特性 THERMAL CHARACTERISTICS 项 目 符 Parameter 结到管壳的热阻 Thermal resistance from junction to case 版本(Rev.)：201003A 号 Symbol TO-3PB Rth(j-c) 最小值 最大值 单 位 Value(min) Value(max) Unit 3.0 ℃/W 2/5 HBR20200S R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) IF vs VF IR vs VR IF(AV) vs TC CT vs VR 版本(Rev.)：201003A 3/5 HBR20200S R 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-3PB 单位 Unit ：mm 30° E A φP L2 D Q F B1 符 L B e b Q1 c Min Max Symbol A 4.6 5.0 B 2.9 3.2 B1 1.9 2.2 b 0.9 1.10 c 0.5 0.70 D 19.4 20.4 E 15.4 15.8 e 版本(Rev.)：201003A 号 5.45（typ） F 1.4 1.60 L 19.5 20.5 L2 3.3 3.7 ΦP 3.1 3.5 Q 5.8 6.2 Q1 1.3 1.5 4/5 HBR20200S R 注意事项 NOTE 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时 请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司 本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel：86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话：86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 附录（Appendix）：修订记录（Revision History） 日期 Date 旧版本 新版本 Last Rev. New Rev. 版本(Rev.)：201003A 修订内容 Description of Changes 5/5