THYRISTOR 30A Avg 800 Volts ■回路図 CIRCUIT PGH308 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） Nut G R5 K ＋4 AC1 AC2 AC3 −6 総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter 記号 Symbol 平均出力電流 Average Rectified Output Current 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 Isolation Voltage ベース部 Mounting 締付トルク 主端子部 Mounting Torque Terminal ゲート端子部 Gate Terminal I0（AV） 条 件 Conditions 三相全波整流Tc＝80℃ 3-Phase Full Wave Rectified 定格値 Max. Rated Value 30 単位 Unit A Tjw −40∼＋125 ℃ Tstg −40∼＋125 ℃ 2000 V M5 2.4∼2.8 N・m M4 1.2∼1.6 N・m ─ ─ N・m 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 0.1 ℃/W Viso 端子−ベース間，AC１分間 Terminal to Base, AC１min. サーマルコンパウンド塗布 Greased F ■熱特性 Thermal Characteristics 項 目 Parameter 記号 Symbol 接触熱抵抗 Thermal Resistance 質量 Approximate Weight…約80g Rth （c-f） ダイオードブリッジ部（6素子） 条 件 Conditions ケース−フィン間（トータル），サーマルコンパウンド塗布 Case to Fin, Total, Greased Part of Diode Bridge（6dies） ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピーク逆電圧 ＊1 Repetitive Peak Reverse Voltage 非くり返しピーク逆電圧 ＊1 Non Repetitive Peak Reverse Voltage 項 目 Parameter サージ順電流 Surge Forward Current 電流二乗時間積 I Squared t 許容周波数 Allowable Operating Frequency 記号 Symbol 耐圧クラス Grade PGH308 単位 Unit VRRM 800 V VRSM 900 V 記号 Symbol ＊1 ＊1 IFSM 2 It 条 件 Conditions 50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive ２∼10ms f 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit 400 A 800 A2s 400 Hz .＊1：１アーム当りの値 Value Per 1 Arm. ─ 272 ─ サ イ リ ス タ モ ジ ュ ー ル ■電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter ピーク逆電流 Peak Reverse Current ピーク順電圧 Peak Forward Voltage 熱抵抗 Thermal Resistance 記号 Symbol 条 件 Conditions 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit mA ＊1 IRM Tj=125℃，VRM=VRRM 5 ＊1 VFM Tj= 25℃，IFM=30A 1.06 V 接合部−ケース間（トータル） Junction to Case, Total 0.70 ℃/W Rth （j-c） ＊1：１アーム当りの値 Value Per 1 Arm. サイリスタ部（1素子） Part of Thyristor（1die） ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter 記号 Symbol 耐圧クラス Grade PGH308 単位 Unit くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage 非くり返しピークオフ電圧 Non Repetitive Peak Off-State Voltage くり返しピーク逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage 非くり返しピーク逆電圧 Non Repetitive Peak Reverse Voltage VDRM 800 V VDSM 900 V VRRM 800 V VRSM 900 V 項 目 Parameter サージオン電流 Surge On-State Current 電流二乗時間積 I Squared t 臨界オン電流上昇率 Critical Rate of Rise of Turned-On Current ピークゲート電力損失 Peak Gate Power 平均ゲート電力損失 Average Gate Power ピークゲート電流 Peak Gate Current ピークゲート電圧 Peak Gate Voltage ピークゲート逆電圧 Peak Gate Reverse Voltage 記号 Symbol ITSM 2 It di/dt 条 件 Conditions 50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit 400 A ２∼10ms 800 A2 s VD=2/3VDRM，ITM=2・IO，Tj＝125℃ IG=200mA，diG/dt=0.2A/μs 100 A/μs PGM 5 W P（ G AV） 1 W IGM 2 A VGM 10 V VRGM 5 V ■電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter ピークオフ電流 Peak Off-State Current 記号 Symbol IDM 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 条 件 Conditions Tj=125℃，VDM=VDRM 10 単位 Unit mA ─ ピークオン電圧 Peak On-State Voltage VTM Tj=25℃，ITM=90A トリガゲート電流 Gate Current to Trigger IGT VD=6V，IT=1A トリガゲート電圧 Gate Voltage to Trigger VGT VD=6V，IT=1A 非トリガゲート電圧 Gate Non-Trigger Voltage 臨界オフ電圧上昇率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage ターンオフ時間 Turn-Off Time ターンオン時間 Turn-On Time 遅れ時間 Delay Time 立上がり時間 Rise Time ラッチング電流 Latching Current 保持電流 Holding Current 熱抵抗 Thermal Resistance VGD Tj=125℃，VD=2/3VDRM 0.25 V dv/dt Tj=125℃，VD=2/3VDRM 500 V/μs tq Tj=−40℃ Tj= 25℃ Tj= 125℃ Tj=−40℃ Tj= 25℃ Tj= 125℃ Tj=125℃，ITM=IO，VD=2/3VDRM dv/dt=20V/μs，VR=100V， −di/dt=20A/μs tgt td Tj=25℃，VD=2/3VDRM，ITM=3・IO IG=200mA，diG/dt=0.2A/μs tr 1.32 V 200 100 50 4.0 2.5 2.0 mA mA mA V V V 150 μs 6 μs 2 μs 4 μs IL Tj=25℃ 90 mA IH Tj=25℃ 70 mA Rth（j-c） 接合部−ケース間 Junction to Case ─ 273 ─ 1.45 ℃/W ■定格・特性曲線 サ イ リ ス タ モ ジ ュ ー ル ─ 274 ─