CIM-123S13R ●電気的光学的特性/Electro-optical characteristics Item 電源電圧 Power supply voltage 通信レート Communications rate トランシーバー 消費電流 Transceiver Current drawn Power Down電流 Power-down current ●外形寸法図/Outline drawing 3.35 Minimum receiving sensitivity 0.8 1.5 0 R 1. 1. R 0 2.55 受光中心 Light receiving center 1.5 0.73 2.6 6.7 Min Typ Max Unit VCC - 1.7 1.9 2.2 - - 2.4 - ICC No Load 75 95 135 μA - 0.01 1 μA 10.5 - 40 mW/sr 4.5 - 40 mW/sr Iccsd Ie Ie SD=VCC No Load α=0° VCC=Anode=3V α±15° VCC=Anode=3V Eemin α=±15° - 4.0 α=0° 500 - - mW/cm2 - - - 100 μs 最大受光感度 受光部 Eemax Light sensing Maximum receiving sensitivity portion レイテンシー TL Latency 0.375 reflow-soldering: 1.225 0.5375 ⑤TXD2 ⑥Vcc ⑦GND 2.85 単位/Unit : mm .1 1.025 受光中心 Light receiving center R 2.4 2.9 3 （1.7） （0.5） 200 10 300 2.5 3 3.5 放射強度 発光部 Emission strength Light emitting ピーク発光波長 portion Peak emission wavelength 最小受光感度 Minimum receiving sensitivity （0.8） （0.8） 4.5 Min Typ VCC - 2.4 - 3.6 V Vlogic - 1.5 - VCC V - - 0.0096 - ICC No Load - 445 550 μA Iccsd SD=VCC - 0.01 μA 40 - Ie Vcc=Anode=4.4V RL=5Ω IF≒380mA λp - Eemin 0.576Mbps 1.152Mbps 5 (Ta 25℃) Conditions Max Unit 1.152 Mbps 1 200 mW/sr 850 875 900 nm 8.0 μW/cm2 - 5.0 α=0° 500 - - mW/cm2 - - 50 100 μs ●諸特性/Characteristics 推奨はんだ付けパターン 0.375 4 LEDA(V) Symbol 最大受光感度 受光部 Eemax Light sensing Maximum receiving sensitivity portion レイテンシー TL Latency 2.5 1.175 1.175 .1 R 1 1 マウント中心 Mounting center 8.0 The following soldering patterns are recommended for 100 reflow-soldering: ⑧⑦ ⑥⑤ ④ ③ ②① P0.95×7=6.65 0.775 ⑤SD ⑥Vcc ⑦VIO ⑧GND マウント中心 Mounting center 80 60 1.75 3.325 3.325 1.25 1.425 0.6 ①LEDA ②LEDC ③TXD ④RXD 100 IF(Ic2+IrLED)(mA) ●電気的光学的特性/Electro-optical characteristics ●外形寸法図/Outline drawing 2.4 0 P0.95×6=5.7 Power Down電流 Power-down current （4） 30 20 0 2.85 電源電圧 Power supply voltage 供給電圧 Power supply voltage 通信レート トランシーバー Communications rate Transceiver 消費電流 Current drawn 発光中心 Emitting center 50 0.6 Item 2.75 IFled特性(α=0˚, Low Power Mode時) IFled characteristics (α=0E, Low Power Mode) 60 40 CIM-50M7 2.05 8.1 μW/cm2 100 P0.95×6=5.7 （4） nm 50 マウント中心 Mounting center 0.95 2.85 ①LEDA ②TXD1 ③RXD ④SD IF-Ie特性(α=0˚, Hight Power Mode時) IF-Ie characteristics (α=0E, Hight Power Mode) 150 ベタアース Grounded wholly ⑦ ⑥ ⑤ ④ ③② ① 2.85 875 888 900 ●諸特性/Characteristics 推奨はんだ付けパターン Ie(mW/sr) 0.6 115.2 Kbps - The following soldering patterns are recommended for S V λp 2.6 2.55 Conditions ILED(mA) 発光中心 Light emission center Symbol 0.6 0.475 1.425 0.475 1.425 Ie(mW/sr) (3.35) 0.75 マウント中心 Mounting center ロット番号 Lot No. 放射強度 Emission strength 発光部 放射強度 Light emitting Emission strength portion ピーク発光波長 Peak emission wavelength 最小受光感度 (Ta 25℃) 40 20 2.375 2.375 単位/Unit : mm 3.325 3.325 0 50 150 250 350 450 IFP(mA) 137