トランジスタ 2SB0745, 2SB0745A (2SB745, 2SB745A) シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形 低周波・低雑音増幅用 Unit : mm 2.5±0.1 コレクタ・ベース間電圧 2SB0745 (E 開放時) 2SB0745A コレクタ・エミッタ間 2SB0745 電圧(B 開放時) 2SB0745A 記号 定格 単位 VCBO −35 V −35 VCEO (1.0) 2.4±0.2 (0.85) 0.45±0.05 0.55±0.1 3 2 (2.5) −5 V IC −50 mA 尖頭コレクタ電流 ICP −200 mA コレクタ損失 PC 400 mW 接合温度 Tj 150 °C 保存温度 Tstg −55 ∼ +150 °C 4.1±0.2 2.0±0.2 V −55 VEBO 4.5±0.1 3.5±0.1 R 0.9 R 0.7 −55 コレクタ電流 エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) (1.5) 1.25±0.05 ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C 項目 (1.0) (1.5) 1.0±0.1 • 雑音電圧 NV が低い • 直流電流増幅率 hFE が高い • M型パッケージで自動挿入, 手挿入が容易,P板に自立固定で きる (0.4) 6.9±0.1 ■ 特 長 1 (2.5) 1 : Base 2 : Collector 3 : Emitter M-A1 Package ■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C 項目 記号 条件 VCBO IC = −10 µA, IE = 0 VCEO IC = −2 mA, IB = 0 VEBO IE = −10 µA, IC = 0 ベース・エミッタ間電圧 VBE VCE = −1 V, IC = −100 mA コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO VCB = −10 V, IE = 0 コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時) ICEO VCE = −10 V, IB = 0 hFE VCE = −5 V, IC = −2 mA コレクタ・ベース間電圧 (E 開放時) 2SB0745 コレクタ・エミッタ間 電圧(B 開放時) 2SB0745 直流電流増幅率 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 トランジション周波数 雑音電圧 最大 単位 V −35 V −55 2SB0745A * 標準 −35 −55 2SB0745A エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) 最小 VCE(sat) −5 V − 0.7 180 IC = −100 mA, IB = −10 mA fT VCB = −5 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz NV VCE = −10 V, IC = −1 mA, GV = 80 dB Rg = 100 kΩ, Function = FLAT −1.0 V − 0.1 µA −1 µA 700 − 0.6 150 V MHz 150 mV 注 ) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。 2. * : ランク分類 ランク Q R S hFE1 180 ∼ 360 260 ∼ 520 360 ∼ 700 注 ) 形名の( )内は,従来品番です 発行年月 : 2003年1月 SJC00050BJD 1 2SB0745, 2SB0745A PC Ta IC VCE IC I B −160 500 −160 Ta = 25°C VCE = −5 V Ta = 25°C −140 コレクタ電流 IC (mA) 200 −300 µA −250 µA −100 −200 µA −80 −150 µA −60 −100 µA −40 100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 −2 −4 −6 −8 −10 IB VBE VCE = −5 V Ta = 25°C VCE = −5 V 25°C ベース電流 IB (µA) コレクタ電流 IC (mA) −600 −400 −200 Ta = 75°C −25°C −80 −60 −40 − 0.6 − 0.8 0 −1.0 0 − 0.4 − 0.8 hFE IC トランジション周波数 fT (MHz) VCE = −5 V 直流電流増幅率 hFE Ta = 75°C 300 25°C −25°C 200 100 0 − 0.1 −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) 2 −100 −1.6 −2.0 300 200 100 1 10 エミッタ電流 IE (mA) SJC00050BJD − 0.5 −10 −1 Ta = 75°C 25°C −25°C − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) Cob VCB VCB = −5 V Ta = 25°C 400 0 0.1 − 0.4 IC / IB = 10 fT I E 500 400 −1.2 500 − 0.3 −100 ベース・エミッタ間電圧 VBE (V) ベース・エミッタ間電圧 VBE (V) 600 − 0.2 ベース電流 IB (mA) − 0.1 −20 − 0.4 − 0.1 VCE(sat) IC −120 −100 − 0.2 0 IC VBE −800 0 0 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 周囲温度 Ta (°C) 0 −40 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) 0 −80 −50 µA −20 0 −120 100 20 コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) コレクタ損失 PC (mW) 300 −120 コレクタ電流 IC (mA) IB = −350 µA 400 IE = 0 f = 1 MHz Ta = 25°C 16 12 8 4 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 2SB0745, 2SB0745A NV VCE NV VCE NV IC 160 160 IC = −1 mA GV = 80 dB Function = FLAT IC = −1 mA GV = 80 dB Function = RIAA 280 240 Rg = 100 kΩ 80 22 kΩ 0 −1 200 160 120 80 22 kΩ 40 4.7 kΩ Rg = 100 kΩ 80 22 kΩ 40 4.7 kΩ 4.7 kΩ −10 0 −1 −100 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) −10 0 − 0.01 −100 − 0.1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流 IC (mA) NV Rg NV Rg NV IC 280 120 Rg = 100 kΩ 雑音指数 NV (mV) 雑音指数 NV (mV) 雑音指数 NV (mV) 120 40 VCE = −10 V GV = 80 dB Function = FLAT −1 160 VCE = −10 V GV = 80 dB Function = RIAA VCE = −10 V GV = 80 dB Function = FLAT 240 VCE = −10 V GV = 80 dB Function = RIAA 280 240 200 160 120 Rg = 100 kΩ 80 0 − 0.01 80 IC = −1 mA − 0.5 mA 4.7 kΩ − 0.1 コレクタ電流 IC (mA) −1 0 200 160 120 80 40 22 kΩ 40 雑音指数 NV (mV) 雑音指数 NV (mV) 雑音指数 NV (mV) 120 1 IC = −2 mA − 0.1 mA 10 信号源抵抗 Rg (kΩ) SJC00050BJD 40 100 0 − 0.5 mA − 0.1 mA 1 10 100 信号源抵抗 Rg (kΩ) 3 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術で、 「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、 ま たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 弊社もし くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり ません。 (3) 上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、 当社はその責を負うものでは ありません。 (4) 本資料に記載されている製品は、 標準用途 — 一般電子機器(事務機器、 通信機器、 計測機器、 家電 製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、 信頼性が要求され、 その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、 人体に危害を及ぼす 恐れのある用途 — 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事前に 弊社営業窓口までご相談願います。 (5) 本資料に記載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合があ りますのでご了承ください。 したがって、 最終的な設計、 ご購入、 ご使用に際しましては、 事前に最新 の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。 (6) 設計に際して、 特に最大定格、 動作電源電圧範囲、 放熱特性については保証範囲内でご使用いただ きますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥につ いては弊社として責任を負いません。 また、 保証値内のご使用であっても、 半導体製品について通常予測される故障発生率、 故障モード をご考慮の上、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、 火災事故、 社会的な損害などを生じ させない冗長設計、 延焼対策設計、 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう お願い致します。 (7) 防湿包装を必要とする製品につきましては、 個々の仕様書取り交わしの折、 取り決めた条件 (保存 期間、 開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、 転載または複製することを堅くお断り いたします。 2002 JUL