SW- CMP05B 高速 TTL 比较器 概述 特性 l 快速响应时间 6.5ns SW-CMP05B 单元是设计为驱动 TTL 负载的高速模拟电 l 可构造低功耗/速度比 压比较器 该比较器的传输延迟很短 这促进了高速信号 l 理想的高速应用 处理功能的集成 l 用三态输出隔离负载 CMP04B 和 ECL-TTL 转换器 E2T01B 组成 l 锁存降低了自激因素 数据锁存既可从 ECL 级开始 也可从 TTL 级开始 CMP05B 由多层 ECL- 输 出 比 较 器 比较器中的 LE 和 LEN 是不同的锁存使能输入端 这些输入支持单端应 该单元所占面积为 1.026mm2 用的阈值调节 直流电特性 非特别注明 VS = 5.0V 参数 T A = 25 测试条件 s 下限值 典型值 上限值 单位 模拟输入 输入失调电压 VCM = 0V 输入失调电流 VCM = 0V 2.0 5.0 A 输入偏置电流 VCM = 0V 50 100 A 输入电压范围 差分输入电压 大信号电压增益 1.0 -4.0 5.0 +3.0 6.0 VIN > -Vs IOL = 5mA 3.0 5 mV V V V/mV TTL 输出 VOL IOL = 5mA VOH IOH = -1mA 三态泄漏 0.4 2.4 -50 V V +50 A TTL 逻辑输入 VIL 0.8 V 输出使能 = 0.8V IIL 锁存使能 = 0.8V 重庆西南集成电路设计有限公司 http://www.swid.com.cn 50 A 1 VIH 2.0 V 输出使能 = 0.8V IIH 锁存使能 = 0.8V A 20 锁存使能输入(ECL) VLE 为高 VLEN = -1.3V, 锁存禁止 VLE 为低 VLEN = -1.3V, 锁存使能 -0.96 V -1.65 V 锁存使能输入(TTL) V VLE 为高 VLE = 1.4V 锁存禁止 VLE 为低 2 VLE = 1.4V 锁存使能 0 8 V 输出使能输入(TTL) VOE 为高 输出使能 VOE 为低 输出禁止 电源电流 RL = 电源抑制比 Vs = 2 V 10 4.5 到 6V 70 95 下限值 典型值 0 8 V 20 mA dB 直流电特性 VS = 5.0V 在规定的温度范围 参数 测试条件 s 上限值 单位 模拟输入 输入失调电压 VCM = 0V 输入失调电流 VCM = 0V 2.0 10 A 输入偏置电流 VCM = 0V 60 120 A 1.0 输入电压范围 大信号电压增益 电源电流 电源抑制比 RL = -3.5 IOL = 5mA 2.0 RL = Vs = 4.0 4.0 15 4.5 到 6V 65 重庆西南集成电路设计有限公司 http://www.swid.com.cn 5.0 95 mV V V/mV 25 mA dB 2 SW- CMP05B 高速 TTL 比较器 交流电特性 非特别注明 VS = 5.0V 参数 VPAD = -5V RL = 240 测试条件 到－2V T A = 25 下限值 s 典型值 上限值 单位 响应时间 tPLH 见时序图(a) 锁存和输出禁止 5.0 10 ns tPHL 见时序图(a) 锁存和输出禁止 6.5 10 ns tPLH 见时序图(a) 输出禁止 6 10 ns tPHL 见时序图(a) 输出禁止 7 11 ns tPLH 见时序图(a) 锁存禁止 2 6 ns tPHL 见时序图(a) 锁存禁止 7 11 ns 西南集成电路设计有限公司 电话 86 23 62803074 86 23 62836154-8588 传真 86 23 62836149 网址 http://www.swid.com.cn 电邮 [email protected] 重庆西南集成电路设计有限公司 http://www.swid.com.cn 3