ETC PNZ108CL(PN108CL)

フォトトランジスタ
PNZ108CL (PN108CL)
シリコンNPNフォトトランジスタ
Unit : mm
12.7 min.
• 高感度 : ICE(L) = 3.5 mA (min.) (L = 500 lx のとき)
• 指向感度特性が広く、使いやすい
• 応答速度が速い : tr = 5 µs (typ.)
• ベース端子を用いて信号の混合ができる
• 小形(高さが低い)パッケージ
3−φ0.45±0.05
2.54±0.25
1.
0±
0.
15
15
0.
0±
1.
定格
単位
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
20
V
コレクタ・ベース電圧
VCBO
30
V
エミッタ・コレクタ電圧
VECO
3
V
エミッタ・ベース電圧
VEBO
5
V
φ5.75 max.
記号
φ4.2±0.2
±3°
45°
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
0.2±0.05
■ 特 長
2.0±0.1
3.0±0.3
各種光制御機器用
3
1
2
1 : Emitter
2 : Base
3 : Collector
コレクタ電流
IC
20
mA
コレクタ損失
PC
100
mW
動作周囲温度
Topr
−25 ∼ +85
°C
保存温度
Tstg
−30 ∼ +100
°C
■ 電気的特性 • 光学的特性 Ta = 25°C
項目
記号
条件
最小
ICEO
VCE = 10 V
*3
ICE(L)
VCE = 10 V, L = 500 lx *1
ピーク感度波長
λP
半値角
θ
上昇時間
*2
tr
下降時間
*2
tf
暗電流
光電流
コレクタ飽和電圧
VCE(sat)
最大
0.05
2
単位
µA
6
mA
VCE = 10 V
900
nm
垂直入射時の 50% となる角度
80
°
VCC = 10 V, ICE(L) = 5 mA
5
µs
RL = 100 Ω
6
µs
ICE(L) = 1 mA, L = 500 lx
3.5
標準
*1
0.3
0.6
V
注 ) *1 : 光源はタングステンランプ(色温度 T = 2 856 K)で測定
*2 : スイッチングタイム測定回路
Sig. in
VCC
(入力パルス)
Sig. out (出力パルス)
50 Ω
RL
90%
10%
td
tr
tf
td : 遅れ時間
tr : 上昇時間
(光電流がピーク値の10%から90%に上昇する時間)
tf : 下降時間
(光電流がピーク値の90%から10%に下降する時間)
*3 : ICE(L) ランク分類
Class
Q
R
S
ICE(L) (mA)
3.5 ∼ 6.0
5.0 ∼ 9.1
>7.5
注 ) 耐湿性(MIL-STD-202D)の保証は困難
注 ) ( )内は, 従来品番です
1
フォトトランジスタ
PNZ108CL
PC  Ta
ICE(L)  VCE
120
20
VCE = 10 V
Ta = 25°C
T = 2 856K
L = 1 500 lx
16
80
60
40
20
10
1 000 lx
12
光電流 ICE(L) (mA)
光電流 ICE(L) (mA)
許容コレクタ損失 PC (mW)
100
ICE(L)  L
102
Ta = 25°C
T = 2 856 K
750 lx
8
500 lx
4
250 lx
1
10−1
100 lx
0
−20
0
20
40
60
80
0
100
0
4
8
16
20
10−2
24
1
ICEO  Ta
VCE = 10 V
103
照度 L (lx)
ICE(L)  Ta
102
102
10
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
周囲温度 Ta (°C)
102
12
分光感度特性
100
VCE = 10 V
L = 500 lx
T = 2 856 K
VCE = 10 V
Ta = 25°C
80
1
10
相対感度 S (%)
光電流 ICE(L) (mA)
暗電流 ICEO (µA)
10
1
60
40
10−1
20
0
20
40
60
80
10−1
−40
100
周囲温度 Ta (°C)
指向特性
0° 10°
20
80
0
200
120
400
600
800
波長 λ (nm)
tr  ICE(L)
tf  ICE(L)
VCC = 10 V
Ta = 25°C
104
1 000
VCC = 10 V
Ta = 25°C
104
103
60°
70°
80°
90°
103
102
RL = 1 kΩ
500 Ω
10
102
RL = 1 kΩ
500 Ω
10
100 Ω
100 Ω
1
10−1 −2
10
1
10−1
1
10
光電流 ICE(L) (mA)
2
1 200
50°
上昇時間 tr (µs)
40
相対感度 S (%)
60
40
周囲温度 Ta (°C)
30°
40°
100
80
20°
0
下降時間 tf (µs)
10−2
−20
102
10−1 −2
10
10−1
1
10
光電流 ICE(L) (mA)
102
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」
に該当するものを輸出する時、
ま
たは、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
(3)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
—
恐れのある用途
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(4)
本資料に掲載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
(5)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲でご使用いただき
ますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につい
ては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
(6)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(7)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを固くお断り
いたします。
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項
A. 本資料は、
お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、
予告なく常に更新しておりますので、
ご検討
にあたっては、
早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。
B. 本資料は正確を期し、
慎重に制作したものですが、
記載ミス等の可能性があります。
したがって、
弊
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C. 本資料は、
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したがって、
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販売および第三者に提供するなどの行為を禁止
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2001 MAR