ETC 2SD1457AP

トランジスタ
2SD1458
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
低周波増幅用
Unit : mm
項目
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
20
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
20
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VEBO
15
V
IC
0.7
A
ICP
1.5
A
PC
1
W
尖頭コレクタ電流
*
(1.0)
R 0.9
Tj
150
°C
Tstg
−55 ∼ +150
°C
注 ) * : プリント基板のコレクタ部分の銅泊面積1
2.4±0.2
0.45±0.05
0.55±0.1
2
(2.5)
保存温度
cm2 以上，厚み1.7
(0.85)
3
接合温度
4.1±0.2
2.0±0.2
R 0.7
4.5±0.1
3.5±0.1
(0.4)
(1.5)
1.25±0.05
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
コレクタ電流
(1.0)
(1.5)
1.0±0.1
• 直流電流増幅率 hFE が高い
• コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低い
• M型パッケージで自動挿入，
手挿入が容易，P板に自立固定で
きる
コレクタ損失
2.5±0.1
6.9±0.1
■ 特 長
1
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
M-A1 Package
(2.5)
mm
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = 10µA, IE = 0
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
20
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VEBO
IE = 10 µA, IC = 0
15
V
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = 15 V, IE = 0
1
µA
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = 15 V, IB = 0
10
µA
hFE
VCE = 10 V, IC = 150 mA
2 500

VCE(sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
0.4
V
直流電流増幅率
*
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
トランジション周波数
コレクタ出力容量(入力開放時)
fT
Cob
条件
最小
標準
最大
20
単位
V
1 000
VCB = 20 V, IE = −20 mA, f = 200 MHz
55
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
11
MHz
15
pF
注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : パルス設定
発行年月 : 2002年11月
SJC00223BJD
1
2SD1458
PC  Ta
IC  VBE
2.4
Ta = 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE = 10 V
2.0
200
コレクタ電流 IC (mA)
1.0
コレクタ損失 PC (W)
IC  VCE
240
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
IB = 100 µA
90 µA
80 µA
70 µA
160
60 µA
120
50 µA
40 µA
80
30 µA
コレクタ電流 IC (A)
1.2
20 µA
40
1.6
25°C
Ta = 75°C
−25°C
1.2
0.8
0.4
10 µA
0
20
40
60
0
80 100 120 140 160
周囲温度 Ta (°C)
0
0
2
1
Ta = 75°C
25°C
−25°C
2 000
1 500
VCE = 10 V
25°C
−25°C
1 000
500
0.01
0.01
0.1
1
10
0
0.01
0.1
IE = 0
f = 1 MHz
Ta = 25°C
20
16
12
8
4
0
1
10
1
コレクタ電流 IC (A)
Cob  VCB
100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJC00223BJD
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
fT  I E
Ta = 75°C
0.1
0
ベース・エミッタ間電圧 VBE (V)
300
2 500
10
24
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
10
hFE  IC
コレクタ電流 IC (A)
2
8
3 000
IC / IB = 10
直流電流増幅率 hFE
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
6
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
VCE(sat)  IC
100
4
トランジション周波数 fT (MHz)
0
10
VCB = 10 V
Ta = 25°C
250
200
150
100
50
0
−1
−10
−100
エミッタ電流 IE (mA)
−1 000
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、
ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
弊社もし
くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり
ません。
(3)
上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、
当社はその責を負うものでは
ありません。
(4)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
恐れのある用途 — 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(5)
本資料に記載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
(6)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
半導体製品について通常予測される故障発生率、
故障モード
をご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、
火災事故、
社会的な損害などを生じ
させない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、
開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを堅くお断り
いたします。
2002 JUL