Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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1
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A
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
6
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
1
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Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
3
f#
$
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
5
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0
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4
200
250
300
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
1<a%
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150
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200
400
30
600
800
1000
1200
0
1400
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0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
+c z+{
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
/
=
$
"ROe ( T1cV
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T
V
T
/
=
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20
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16
16
14
14
12
12
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20
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8
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F
1
9 I 0
9 FI]]
10
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6
15
18
21
24
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FT150R12KE3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
7